ZHCAEQ0 November 2024 INA180 , INA180-Q1 , INA181 , INA181-Q1 , INA183 , INA185 , INA185-Q1 , INA186 , INA186-Q1 , INA190 , INA190-EP , INA190-Q1 , INA191 , INA199 , INA199-Q1 , INA209 , INA210 , INA210-Q1 , INA211 , INA211-Q1 , INA212 , INA212-Q1 , INA213 , INA213-Q1 , INA214 , INA214-Q1 , INA215 , INA215-Q1 , INA216 , INA2180 , INA2180-Q1 , INA2181 , INA2181-Q1 , INA219 , INA2191 , INA220 , INA220-Q1 , INA223 , INA225 , INA225-Q1 , INA226 , INA226-Q1 , INA228 , INA228-Q1 , INA229 , INA229-Q1 , INA2290 , INA230 , INA231 , INA232 , INA233 , INA234 , INA236 , INA237 , INA237-Q1 , INA238 , INA238-Q1 , INA239 , INA239-Q1 , INA240 , INA240-Q1 , INA241A , INA241A-Q1 , INA241B , INA241B-Q1 , INA250 , INA250-Q1 , INA253 , INA253-Q1 , INA254 , INA260 , INA280 , INA280-Q1 , INA281 , INA281-Q1 , INA290 , INA290-Q1 , INA293 , INA293-Q1 , INA296A , INA296A-Q1 , INA296B , INA296B-Q1 , INA300 , INA300-Q1 , INA301 , INA301-Q1 , INA302 , INA302-Q1 , INA303 , INA303-Q1 , INA310A , INA310A-Q1 , INA310B , INA310B-Q1 , INA3221 , INA3221-Q1 , INA381 , INA381-Q1 , INA4180 , INA4180-Q1 , INA4181 , INA4181-Q1 , INA4230 , INA4235 , INA4290 , INA700 , INA740B , INA745A , INA745B , INA745B-Q1 , INA750B , INA780B , INA790A , INA790B , INA791A , LMP8278Q-Q1 , LMP8601 , LMP8601-Q1 , LMP8602 , LMP8602-Q1 , LMP8603 , LMP8603-Q1 , LMP8640 , LMP8640-Q1 , LMP8640HV
2.2 靜電放電
靜電放電 (ESD) 事件是一種快速高壓事件（尖峰時間在數百納秒內結束），是在將 IC 元件裝配到 PCB 上之前或之后，由人和機器對 IC 元件的處理過程中積累的靜電荷突然放電造成的。CSA（以及大多數通用放大器）通過 ESD 單元受到保護，不會受到高壓和快速邊沿 ESD 事件的影響。ESD 單元很復雜，但基本上由吸收器件和體二極管組成。
圖 2-1 ESD 單元對于快速過壓事件（正壓或負壓），將觸發 ESD 單元，然后吸收器件可以快速開始吸收越來越大的電流。一旦通過吸收器件的電流足夠高，電流就會回彈。但是，如果過壓事件的持續時間超過 ESD 為 EOS 設計的時間，并且無法限制流入 ESD 單元的電流，則電流會迅速增加并產生過多熱量，從而損壞器件。
請注意，當輸入電壓降至 -0.3V 以下的某個值時，ESD 單元的體二極管可能變為正向偏置。這就是許多標準低壓 CSA 的最小絕對共模電壓 (VCM) 額定值為 GND-0.3V 的原因。
圖 2-2 展示了 CSA 的通用 ESD 拓撲。
圖 2-2 ESD 架構單級 CSA