ZHCAEO9 November 2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N
3 應用特定 FET
某些 FET 針對開關模式應用進行了優化，而其他 FET 更適合靜態開關。某些 FET 適用于任一應用類型。首先要做的是查看 FET 數據表。TI FET 數據表第 1 頁包含 FET 優化的應用的相關信息。例如，圖 3-1 展示了 CSD16570Q5B 數據表，該 FET 針對 ORing 和熱插拔應用進行了優化。
圖 3-1 CSD16570Q5B 數據表同樣，圖 3-2 展示了 CSD18541F5 數據表的摘錄。該器件針對負載開關和通用開關應用進行了優化。
圖 3-2 CSD18541F5 數據表通過進一步深入探究數據表動態特性可知，CSD16570Q5B 不適合開關模式應用，因為電荷比 Qgd/Qgs > 1。當 MOSFET 用作同步降壓轉換器中的低側 FET 時，這使得 MOSFET 更容易受到 CdV/dt 引起的導通的影響。同樣，CSD18541F5 的電荷比大于 1，但典型的內部串聯柵極電阻為 RG = 1200Ω。這限制了開關速度，該 FET 不是開關模式應用的最佳選擇。如果對 FET 是否可用于特定應用存在一些疑問，請查看數據表中的應用 部分和動態特性 部分。如果還有其他問題，請聯系您的 FET 供應商以獲取更多信息。