ZHCAEO9 November 2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N
絕對最大 VGS 額定值可以是單個值，也可以是單獨的正值和負值，具體取決于柵極結構。如您的 MOSFET 包含哪種類型的 ESD 保護？技術文章中所述，TI FET 可以具有單端、背對背柵極 ESD 保護或無柵極 ESD 保護。采用單端 ESD 結構的 FET 的絕對最大 VGS 只有一個值。施加極性相反的電壓會使柵源 ESD 二極管正向偏置，從而允許電流流入柵極，并將 VGS 鉗位在結壓降處。可以添加一個外部柵極電阻器，以限制柵極電流并防止損壞 FET。
具有背對背 ESD 保護或無 ESD 保護的器件具有單獨的正負絕對最大 VGS 值，這些值可以是對稱的（即 ±20V）或非對稱的（即 -12V/+16V）。切勿在 VGS 超過絕對最大規格的情況下運行 FET，否則 FET 可能會損壞。
表 4-1、表 4-2 和表 4-3 展示了以下 TI N 溝道 MOSFET 的絕對最大額定值示例：
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID | 持續漏極電流（受封裝限制） | 60 | A |
| 持續漏極電流（受芯片限制），TC = 25°C 時測得 | 123 | ||
| 持續漏極電流 | 24 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流 | 256 | A |
| PD | 功率耗散 | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 83 | ||
| TJ、 Tstg |
工作結溫和貯存溫度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 39A，L = 0.1mH，RG = 25? |
76 | mJ |
| TA = 25°C 時測得，除非另有說明 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵源電壓 | 12 | V |
| ID | 持續漏極電流，TA = 25°C | 3.1 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流，TA = 25°C | 12 | A |
| IG | 持續柵極鉗位電流 | 35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流 | 350 | ||
| PD | 功率耗散 | 500 | mW |
| ESD 等級 | 人體放電模型 (HBM) | 4 | kV |
| 組件充電模式 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg |
運行結溫和儲存溫度范圍 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 7.4A， L = 0.1mH，RG = 25? |
2.7 | mJ |
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 25 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -12 至 16 | V |
| ID | 持續漏極電流（受封裝限制） | 100 | A |
| 持續漏極電流（受芯片限制），TC = 25°C 時測得 | 261 | ||
| 持續漏極電流 | 38 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流，TA = 25°C | 200 | A |
| PD | 功率耗散 | 3.2 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 156 | ||
| TJ， Tstg |
工作結溫和貯存溫度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25? |
500 | mJ |