ZHCAEO9 November 2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N
具有最低 RDS(on) 的 MOSFET 是否會(huì)產(chǎn)生最低的功率損耗？這取決于應(yīng)用和 FET 的使用方式。導(dǎo)通損耗或 I2R 損耗與 RDS(on) 成正比，對(duì)于熱插拔、負(fù)載開(kāi)關(guān)和 OR-ing 等應(yīng)用（其中 FET 不會(huì)在幾十或幾百 kHz 的頻率下開(kāi)關(guān)），具有最低導(dǎo)通電阻的器件會(huì)產(chǎn)生最低的功率損耗。
在直流/直流轉(zhuǎn)換器等開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)損耗可能在總 MOSFET 功率損耗中的占比很大。RDS(on) 是 FET 芯片尺寸的函數(shù)，在給定的 MOSFET 工藝技術(shù)和電壓額定值下，較大的芯片會(huì)產(chǎn)生較低的 RDS(on)。較大的芯片還具有較高的電荷和電容，從而使開(kāi)關(guān)損耗增加。為開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用選擇 FET 時(shí)，必須在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間實(shí)現(xiàn)平衡，從而將 FET 的總體功率損耗降至最低。
TI 針對(duì)各種考慮到這一點(diǎn)的應(yīng)用發(fā)布了大量基于 Excel 的 FET 選擇工具。例如，利用同步降壓 FET 選擇工具，用戶可以輸入要求并根據(jù)功率損耗、封裝和 1ku 價(jià)格比較多達(dá)三種不同的 TI FET 設(shè)計(jì)。