ZHCAEF4B September 2024 – August 2025 TMAG5133 , TMAG5134 , TMAG5233
1.3 隧道磁阻 (TMR) 傳感器
隨著材料科學和量子力學的進步，磁性開關中正逐步采用一項新技術，該技術充分利用電子在被超薄介電層分隔的磁性結構之間發生的隧穿效應。
圖 1-10 簡化的 TMR 疊層結構圖 1-10 中所示的頂部和底部塊實際上是由導電磁性材料構成的復雜層疊結構，它們能夠產生 TMR 效應。在制造過程中，底層材料被施加了特定的磁化方向，通常稱為固定層。此外，頂層材料稱為自由層。
當外部磁場作用于這種結構時，材料的總電阻會根據外加磁場的方向變化。當外加磁場的磁矢量與基底層的磁化方向平行時，電阻處于最大值；而當外加磁場趨向于與電流方向反平行時，電阻會降至最小，如圖 1-11 所示。
圖 1-11 TMR 阻抗圖由于這項技術采用常規制造工藝，因此制造 TMR 傳感器時，通常需要確保傳感器對 XY 平面內施加的磁場敏感。