隨著材料科學(xué)和量子力學(xué)的進(jìn)步，磁性開關(guān)中正逐步采用一項(xiàng)新技術(shù)，該技術(shù)充分利用電子在被超薄介電層分隔的磁性結(jié)構(gòu)之間發(fā)生的隧穿效應(yīng)。

圖 1-10 中所示的頂部和底部塊實(shí)際上是由導(dǎo)電磁性材料構(gòu)成的復(fù)雜層疊結(jié)構(gòu)，它們能夠產(chǎn)生 TMR 效應(yīng)。在制造過程中，底層材料被施加了特定的磁化方向，通常稱為固定層。此外，頂層材料稱為自由層。

當(dāng)外部磁場(chǎng)作用于這種結(jié)構(gòu)時(shí)，材料的總電阻會(huì)根據(jù)外加磁場(chǎng)的方向變化。當(dāng)外加磁場(chǎng)的磁矢量與基底層的磁化方向平行時(shí)，電阻處于最大值；而當(dāng)外加磁場(chǎng)趨向于與電流方向反平行時(shí)，電阻會(huì)降至最小，如圖 1-11 所示。

由于這項(xiàng)技術(shù)采用常規(guī)制造工藝，因此制造 TMR 傳感器時(shí)，通常需要確保傳感器對(duì) XY 平面內(nèi)施加的磁場(chǎng)敏感。