ZHCADZ2A July 2019 – April 2024 TPS568230
在現代電源轉換中，盡管在開關斷開時 V × I 損耗非常接近理想值或零值，但在開關導通時，由于 MOSFET 的導通電阻，損耗會相當大。這個特定的損耗項顯然是導通損耗。
導通損耗與轉換器中處理功率的時間段重合。與開關損耗不同，導通損耗與頻率無關。它確實取決于占空比。方程式 3 展示了 MOSFET 的導通損耗。
其中
二極管導通損耗是降壓轉換器中的另一個主要導通損耗項。它等于 VD × ID_AVG，其中 VD 是二極管正向壓降。ID_AVG 是流經二極管的平均電流，等于降壓轉換器的 IO × (1-D)。它也與頻率無關。