ZHCADZ2A July 2019 – April 2024 TPS568230
MOSFET 的開關過程總是伴隨著電極間電容的充放電。通過控制驅動端子的柵極電壓，然后控制 MOSFET 的開關，這個過程中會產生驅動器損耗，具體如下：
其中
Qg 與有效輸入電容和柵極驅動電壓有關。方程式 4 展示了驅動器損耗與開關頻率成正比。