2 SEE 機制

TMS570LC4357-SEP 關注的主要單粒子效應 (SEE) 事件是破壞性單粒子閂鎖 (SEL)。從風險和影響的角度來看，SEL 的發生可能是極具破壞性的 SEE 事件，也是航天應用非常關心的問題。12F021 (CMOS) 工藝用于 TMS570LC4357-SEP。CMOS 電路引入了 SEL 易感性。如果由高能離子通道引起的過量電流注入足夠高，從而觸發形成寄生交叉耦合 PNP 和 NPN 雙極結構（在 p-sub 和 n 阱以及 N+ 和 P+ 觸點之間形成），則會發生 SEL。由單粒子啟動的寄生雙極結構在電源和接地之間創建了一條高導通路徑（產生的穩態電流通常比正常工作電流高幾個數量級），該路徑持續存在（被鎖存），直到電源斷開或器件被高電流狀態破壞為止。用于 SEL 緩解的工藝修改被證明是足夠的，這是因為在通量為 1 x 10⁷ 個離子/cm²、芯片溫度為 125°C 且 LET_eff 高達 48 MeV-cm²/mg 的情況下，TMS570LC4357-SEP 未出現任何 SEL。

執行此研究是為了評估偏置電壓 VCCAD = 5.25V、VCCIO = 3.6V 且 VCC(core) = 1.32V 電源電壓時的 SEL 影響。研究中使用了 LET_EFF 為 48MeV-cm²/mg 的重離子 (⁴⁷Ag) 對器件進行輻照。在 125°C 下暴露時，離子注量率為 10⁵ 個離子/s-cm²，通量為 10⁷ 個離子/cm²。