TMS570LC4357-SEP 器件屬于基于 ARM® Cortex®-R 的 Hercules TMS570 系列高性能汽車級(jí) MCU。該器件配有完備的文檔、工具和軟件,可協(xié)助開發(fā) ISO 26262 和 IEC 61508 功能安全應(yīng)用。使用 Hercules TMS570LC43x LaunchPad 開發(fā)套件可立即開始評(píng)估。TMS570LC4357-SEP 器件具有片上診斷特性,具體包括:兩個(gè) CPU 采用鎖步運(yùn)行;針對(duì) CPU、N2HET 協(xié)處理器以及片上 SRAM 的內(nèi)置自檢 (BIST) 邏輯;L1 高速緩存、L2 閃存和 SRAM 存儲(chǔ)器具有 ECC 保護(hù)。該器件還為外設(shè)存儲(chǔ)器提供了 ECC 或奇偶校驗(yàn)保護(hù),外設(shè) I/O 上具有環(huán)回功能。
TMS570LC4357-SEP 器件集成了兩個(gè) ARM Cortex-R5F 浮點(diǎn) CPU,該 CPU 采用鎖步運(yùn)行,并提供了高效的 1.66DMIPS/MHz 速率,運(yùn)行頻率高達(dá) 300MHz,從而提供高達(dá) 498DMIPS 的指令執(zhí)行速度。此器件支持大端字節(jié)序 [BE32] 格式。
TMS570LC4357-SEP 器件具有 4MB 的集成閃存和 512KB 的數(shù)據(jù) RAM,并帶有一位錯(cuò)誤糾正和雙位錯(cuò)誤檢測(cè)功能。該器件上的閃存存儲(chǔ)器是實(shí)現(xiàn)了 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口的可電擦除且可編程的非易失性存儲(chǔ)器。對(duì)于所有讀取、編程和擦除操作,該閃存都在 3.3V 電源輸入(與 I/O 電源電平相同)下運(yùn)行。SRAM 支持字節(jié)、半字和字模式的讀取和寫入訪問。
TMS570LC4357-SEP 器件具有適用于實(shí)時(shí)控制應(yīng)用的外設(shè),包括兩個(gè)下一代高端計(jì)時(shí)器 (N2HET) 時(shí)序協(xié)處理器(總 I/O 端子多達(dá) 64 個(gè))。
N2HET 是一款高級(jí)智能計(jì)時(shí)器,此計(jì)時(shí)器能夠?yàn)閷?shí)時(shí)應(yīng)用提供精密的計(jì)時(shí)功能。該計(jì)時(shí)器由軟件控制,具有專用的計(jì)時(shí)器微機(jī)和隨附 I/O 端口。N2HET 可用于脈寬調(diào)制輸出、捕捉或比較輸入,或 GPIO。N2HET 旨在用于要求多個(gè)傳感器信息或用復(fù)雜、準(zhǔn)確的時(shí)間脈沖來驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器的應(yīng)用。高端計(jì)時(shí)器傳輸單元 (HTU) 能夠執(zhí)行 DMA 類型事務(wù)來與主存儲(chǔ)器之間傳輸 N2HET 數(shù)據(jù)。HTU 中內(nèi)置有存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU)。
增強(qiáng)型脈寬調(diào)制器 (ePWM) 模塊能夠用超少的 CPU 開銷或干預(yù)來生成復(fù)雜脈寬波形。ePWM 易于使用,并且支持高側(cè)和低側(cè) PWM 以及死區(qū)生成。借助于集成的觸發(fā)區(qū)保護(hù)以及與片上 MibADC 同步,ePWM 模塊非常適合于數(shù)字電機(jī)控制應(yīng)用。
如果系統(tǒng)注重外部事件的準(zhǔn)時(shí)捕捉,那么增強(qiáng)型捕捉 (eCAP) 模塊將是必不可少的。在不被用于捕捉應(yīng)用時(shí),eCAP 還可被用于監(jiān)視 ePWM 輸出或用于簡(jiǎn)單的 PWM 生成。
增強(qiáng)型正交編碼器脈沖 (eQEP) 模塊直接連接一個(gè)線性或旋轉(zhuǎn)遞增編碼器,進(jìn)而從一個(gè)高性能運(yùn)動(dòng)和位置控制系統(tǒng)中正在旋轉(zhuǎn)的機(jī)械中獲得位置、方向、和速度信息。
該器件具有兩個(gè) 12 位分辨率 MibADC,兩者均有總共 41 個(gè)通道以及帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的 64 字緩沖 RAM。MibADC 通道可被獨(dú)立轉(zhuǎn)換或者可針對(duì)特殊轉(zhuǎn)換序列由軟件分組轉(zhuǎn)換。16 個(gè)通道可在兩個(gè) MibADC 間共用。每個(gè) MibADC 均支持三個(gè)獨(dú)立的分組。每個(gè)序列可在被觸發(fā)時(shí)轉(zhuǎn)換一次,或者通過配置以執(zhí)行連續(xù)轉(zhuǎn)換模式。MibADC 具有一個(gè) 10 位模式,可在需要兼容早期器件或需要提高轉(zhuǎn)換速率時(shí)使用。MibADC1 中的一個(gè)通道和 MibADC2 中的兩個(gè)通道可搭配用于轉(zhuǎn)換來自 3 個(gè)片上溫度傳感器的溫度測(cè)量值。
該器件有多個(gè)通信接口:5 個(gè) MibSPI;4 個(gè) UART (SCI) 接口,其中 2 個(gè)支持 LIN;4 個(gè) CAN;2 個(gè) I2C 模塊;1 個(gè)以太網(wǎng)控制器;和 1 個(gè) FlexRay 控制器。SPI 為相似的移位寄存器類型器件之間的高速通信提供了一種便捷的串行交互方法。LIN 支持本地互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn) (LIN 2.1) 并可被用作一個(gè)使用標(biāo)準(zhǔn)不歸零碼 (NRZ) 格式的全雙工模式 UART。DCAN 支持 CAN 2.0B 協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)并使用串行多主機(jī)通信協(xié)議,此協(xié)議有效支持對(duì)最高速率為 1Mbps 的穩(wěn)健通信實(shí)現(xiàn)分布式實(shí)時(shí)控制。DCAN 非常適合嘈雜和惡劣環(huán)境中的應(yīng)用(例如:汽車和工業(yè)領(lǐng)域),此類應(yīng)用需要可靠的串行通信或多路復(fù)用布線。FlexRay 控制器使用一個(gè)雙通道串行、基于固定時(shí)間的多主通信協(xié)議,每個(gè)通道支持 10Mbps 的通信速率。FlexRay 傳輸單元 (FTU) 可實(shí)現(xiàn)與主 CPU 存儲(chǔ)器之間的 FlexRay 數(shù)據(jù)匿名傳輸。HTU 傳輸受一個(gè)專用的內(nèi)置 MPU 保護(hù)。以太網(wǎng)模塊支持 MII、RMII 和管理數(shù)據(jù) I/O (MDIO) 接口。I2C 模塊是一個(gè)多主通信模塊,可為微控制器和與 I2C 兼容的器件之間提供接口(通過 I2C 串行總線)。I2C 模塊支持 100kbps 和 400kbps 的速率。
調(diào)頻鎖相環(huán) (FMPLL) 時(shí)鐘模塊會(huì)將外部頻率基準(zhǔn)與一個(gè)內(nèi)部使用的更高頻率相乘。全局時(shí)鐘模塊 (GCM) 管理可用時(shí)鐘源與內(nèi)部器件時(shí)鐘域間的映射。
該器件還具有 2 個(gè)外部時(shí)鐘預(yù)分頻器 (ECP) 模塊。ECP 啟用后,會(huì)在 ECLK1 和 ECLK2 焊球上輸出一個(gè)連續(xù)的外部時(shí)鐘。ECLK 頻率與外設(shè)接口時(shí)鐘 (VCLK) 頻率的比例是用戶可編程的。這個(gè)可被外部監(jiān)視的低頻輸出作為此器件運(yùn)行頻率的指示器。
直接存儲(chǔ)器存取 (DMA) 控制器有 32 個(gè)通道、48 個(gè)外設(shè)請(qǐng)求和針對(duì)其存儲(chǔ)器的 ECC 保護(hù)。DMA 內(nèi)置有 MPU,用于保護(hù)存儲(chǔ)器免遭錯(cuò)誤傳輸。
錯(cuò)誤信令模塊 (ESM) 監(jiān)控片上器件錯(cuò)誤并在檢測(cè)到故障時(shí)確定是觸發(fā)一個(gè)中斷還是觸發(fā)一個(gè)外部錯(cuò)誤引腳/焊球 (nERROR)。可從外部監(jiān)視 nERROR 信號(hào),作為微控制器內(nèi)故障條件的指示器。
外部存儲(chǔ)器接口 (EMIF) 提供對(duì)異步和同步存儲(chǔ)器或者其他從器件的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
該器件包含參數(shù)覆蓋模塊,可增強(qiáng)應(yīng)用代碼的調(diào)試功能。POM 能夠?qū)㈤W存訪問重新路由至內(nèi)部 RAM 或 EMIF,從而避免了閃存內(nèi)參數(shù)更新所需的重編程步驟。該功能在實(shí)時(shí)系統(tǒng)校準(zhǔn)過程中特別有用。
該器件實(shí)現(xiàn)了若干個(gè)接口,可增強(qiáng)應(yīng)用代碼的調(diào)試功能。除了內(nèi)置的 Arm® Cortex®-R5F CoreSight 調(diào)試特性外,嵌入式交叉觸發(fā)器 (ECT) 支持 SoC 內(nèi)多觸發(fā)事件的交互和同步。外部跟蹤宏單元 (ETM) 提供程序執(zhí)行的指令和數(shù)據(jù)跟蹤。為了實(shí)現(xiàn)儀器測(cè)量的目的,執(zhí)行了一個(gè) RAM 跟蹤端口模塊 (RTP) 來支持由 CPU 或者任何其它主控所訪問的 RAM 和外設(shè)的高速跟蹤。一個(gè)數(shù)據(jù)修改模塊 (DMM) 提供向器件內(nèi)存寫入外部數(shù)據(jù)的功能。RTP 和 DMM 對(duì)應(yīng)用代碼的程序執(zhí)行時(shí)間影響非常小。
借助集成的安全特性和各種通信和控制外設(shè),TMS570LC4357-SEP 器件旨在用于具有安全關(guān)鍵要求的高性能實(shí)時(shí)控制應(yīng)用。
TMS570LC4357-SEP 器件屬于基于 ARM® Cortex®-R 的 Hercules TMS570 系列高性能汽車級(jí) MCU。該器件配有完備的文檔、工具和軟件,可協(xié)助開發(fā) ISO 26262 和 IEC 61508 功能安全應(yīng)用。使用 Hercules TMS570LC43x LaunchPad 開發(fā)套件可立即開始評(píng)估。TMS570LC4357-SEP 器件具有片上診斷特性,具體包括:兩個(gè) CPU 采用鎖步運(yùn)行;針對(duì) CPU、N2HET 協(xié)處理器以及片上 SRAM 的內(nèi)置自檢 (BIST) 邏輯;L1 高速緩存、L2 閃存和 SRAM 存儲(chǔ)器具有 ECC 保護(hù)。該器件還為外設(shè)存儲(chǔ)器提供了 ECC 或奇偶校驗(yàn)保護(hù),外設(shè) I/O 上具有環(huán)回功能。
TMS570LC4357-SEP 器件集成了兩個(gè) ARM Cortex-R5F 浮點(diǎn) CPU,該 CPU 采用鎖步運(yùn)行,并提供了高效的 1.66DMIPS/MHz 速率,運(yùn)行頻率高達(dá) 300MHz,從而提供高達(dá) 498DMIPS 的指令執(zhí)行速度。此器件支持大端字節(jié)序 [BE32] 格式。
TMS570LC4357-SEP 器件具有 4MB 的集成閃存和 512KB 的數(shù)據(jù) RAM,并帶有一位錯(cuò)誤糾正和雙位錯(cuò)誤檢測(cè)功能。該器件上的閃存存儲(chǔ)器是實(shí)現(xiàn)了 64 位寬數(shù)據(jù)總線接口的可電擦除且可編程的非易失性存儲(chǔ)器。對(duì)于所有讀取、編程和擦除操作,該閃存都在 3.3V 電源輸入(與 I/O 電源電平相同)下運(yùn)行。SRAM 支持字節(jié)、半字和字模式的讀取和寫入訪問。
TMS570LC4357-SEP 器件具有適用于實(shí)時(shí)控制應(yīng)用的外設(shè),包括兩個(gè)下一代高端計(jì)時(shí)器 (N2HET) 時(shí)序協(xié)處理器(總 I/O 端子多達(dá) 64 個(gè))。
N2HET 是一款高級(jí)智能計(jì)時(shí)器,此計(jì)時(shí)器能夠?yàn)閷?shí)時(shí)應(yīng)用提供精密的計(jì)時(shí)功能。該計(jì)時(shí)器由軟件控制,具有專用的計(jì)時(shí)器微機(jī)和隨附 I/O 端口。N2HET 可用于脈寬調(diào)制輸出、捕捉或比較輸入,或 GPIO。N2HET 旨在用于要求多個(gè)傳感器信息或用復(fù)雜、準(zhǔn)確的時(shí)間脈沖來驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器的應(yīng)用。高端計(jì)時(shí)器傳輸單元 (HTU) 能夠執(zhí)行 DMA 類型事務(wù)來與主存儲(chǔ)器之間傳輸 N2HET 數(shù)據(jù)。HTU 中內(nèi)置有存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU)。
增強(qiáng)型脈寬調(diào)制器 (ePWM) 模塊能夠用超少的 CPU 開銷或干預(yù)來生成復(fù)雜脈寬波形。ePWM 易于使用,并且支持高側(cè)和低側(cè) PWM 以及死區(qū)生成。借助于集成的觸發(fā)區(qū)保護(hù)以及與片上 MibADC 同步,ePWM 模塊非常適合于數(shù)字電機(jī)控制應(yīng)用。
如果系統(tǒng)注重外部事件的準(zhǔn)時(shí)捕捉,那么增強(qiáng)型捕捉 (eCAP) 模塊將是必不可少的。在不被用于捕捉應(yīng)用時(shí),eCAP 還可被用于監(jiān)視 ePWM 輸出或用于簡(jiǎn)單的 PWM 生成。
增強(qiáng)型正交編碼器脈沖 (eQEP) 模塊直接連接一個(gè)線性或旋轉(zhuǎn)遞增編碼器,進(jìn)而從一個(gè)高性能運(yùn)動(dòng)和位置控制系統(tǒng)中正在旋轉(zhuǎn)的機(jī)械中獲得位置、方向、和速度信息。
該器件具有兩個(gè) 12 位分辨率 MibADC,兩者均有總共 41 個(gè)通道以及帶奇偶校驗(yàn)保護(hù)的 64 字緩沖 RAM。MibADC 通道可被獨(dú)立轉(zhuǎn)換或者可針對(duì)特殊轉(zhuǎn)換序列由軟件分組轉(zhuǎn)換。16 個(gè)通道可在兩個(gè) MibADC 間共用。每個(gè) MibADC 均支持三個(gè)獨(dú)立的分組。每個(gè)序列可在被觸發(fā)時(shí)轉(zhuǎn)換一次,或者通過配置以執(zhí)行連續(xù)轉(zhuǎn)換模式。MibADC 具有一個(gè) 10 位模式,可在需要兼容早期器件或需要提高轉(zhuǎn)換速率時(shí)使用。MibADC1 中的一個(gè)通道和 MibADC2 中的兩個(gè)通道可搭配用于轉(zhuǎn)換來自 3 個(gè)片上溫度傳感器的溫度測(cè)量值。
該器件有多個(gè)通信接口:5 個(gè) MibSPI;4 個(gè) UART (SCI) 接口,其中 2 個(gè)支持 LIN;4 個(gè) CAN;2 個(gè) I2C 模塊;1 個(gè)以太網(wǎng)控制器;和 1 個(gè) FlexRay 控制器。SPI 為相似的移位寄存器類型器件之間的高速通信提供了一種便捷的串行交互方法。LIN 支持本地互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn) (LIN 2.1) 并可被用作一個(gè)使用標(biāo)準(zhǔn)不歸零碼 (NRZ) 格式的全雙工模式 UART。DCAN 支持 CAN 2.0B 協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)并使用串行多主機(jī)通信協(xié)議,此協(xié)議有效支持對(duì)最高速率為 1Mbps 的穩(wěn)健通信實(shí)現(xiàn)分布式實(shí)時(shí)控制。DCAN 非常適合嘈雜和惡劣環(huán)境中的應(yīng)用(例如:汽車和工業(yè)領(lǐng)域),此類應(yīng)用需要可靠的串行通信或多路復(fù)用布線。FlexRay 控制器使用一個(gè)雙通道串行、基于固定時(shí)間的多主通信協(xié)議,每個(gè)通道支持 10Mbps 的通信速率。FlexRay 傳輸單元 (FTU) 可實(shí)現(xiàn)與主 CPU 存儲(chǔ)器之間的 FlexRay 數(shù)據(jù)匿名傳輸。HTU 傳輸受一個(gè)專用的內(nèi)置 MPU 保護(hù)。以太網(wǎng)模塊支持 MII、RMII 和管理數(shù)據(jù) I/O (MDIO) 接口。I2C 模塊是一個(gè)多主通信模塊,可為微控制器和與 I2C 兼容的器件之間提供接口(通過 I2C 串行總線)。I2C 模塊支持 100kbps 和 400kbps 的速率。
調(diào)頻鎖相環(huán) (FMPLL) 時(shí)鐘模塊會(huì)將外部頻率基準(zhǔn)與一個(gè)內(nèi)部使用的更高頻率相乘。全局時(shí)鐘模塊 (GCM) 管理可用時(shí)鐘源與內(nèi)部器件時(shí)鐘域間的映射。
該器件還具有 2 個(gè)外部時(shí)鐘預(yù)分頻器 (ECP) 模塊。ECP 啟用后,會(huì)在 ECLK1 和 ECLK2 焊球上輸出一個(gè)連續(xù)的外部時(shí)鐘。ECLK 頻率與外設(shè)接口時(shí)鐘 (VCLK) 頻率的比例是用戶可編程的。這個(gè)可被外部監(jiān)視的低頻輸出作為此器件運(yùn)行頻率的指示器。
直接存儲(chǔ)器存取 (DMA) 控制器有 32 個(gè)通道、48 個(gè)外設(shè)請(qǐng)求和針對(duì)其存儲(chǔ)器的 ECC 保護(hù)。DMA 內(nèi)置有 MPU,用于保護(hù)存儲(chǔ)器免遭錯(cuò)誤傳輸。
錯(cuò)誤信令模塊 (ESM) 監(jiān)控片上器件錯(cuò)誤并在檢測(cè)到故障時(shí)確定是觸發(fā)一個(gè)中斷還是觸發(fā)一個(gè)外部錯(cuò)誤引腳/焊球 (nERROR)。可從外部監(jiān)視 nERROR 信號(hào),作為微控制器內(nèi)故障條件的指示器。
外部存儲(chǔ)器接口 (EMIF) 提供對(duì)異步和同步存儲(chǔ)器或者其他從器件的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
該器件包含參數(shù)覆蓋模塊,可增強(qiáng)應(yīng)用代碼的調(diào)試功能。POM 能夠?qū)㈤W存訪問重新路由至內(nèi)部 RAM 或 EMIF,從而避免了閃存內(nèi)參數(shù)更新所需的重編程步驟。該功能在實(shí)時(shí)系統(tǒng)校準(zhǔn)過程中特別有用。
該器件實(shí)現(xiàn)了若干個(gè)接口,可增強(qiáng)應(yīng)用代碼的調(diào)試功能。除了內(nèi)置的 Arm® Cortex®-R5F CoreSight 調(diào)試特性外,嵌入式交叉觸發(fā)器 (ECT) 支持 SoC 內(nèi)多觸發(fā)事件的交互和同步。外部跟蹤宏單元 (ETM) 提供程序執(zhí)行的指令和數(shù)據(jù)跟蹤。為了實(shí)現(xiàn)儀器測(cè)量的目的,執(zhí)行了一個(gè) RAM 跟蹤端口模塊 (RTP) 來支持由 CPU 或者任何其它主控所訪問的 RAM 和外設(shè)的高速跟蹤。一個(gè)數(shù)據(jù)修改模塊 (DMM) 提供向器件內(nèi)存寫入外部數(shù)據(jù)的功能。RTP 和 DMM 對(duì)應(yīng)用代碼的程序執(zhí)行時(shí)間影響非常小。
借助集成的安全特性和各種通信和控制外設(shè),TMS570LC4357-SEP 器件旨在用于具有安全關(guān)鍵要求的高性能實(shí)時(shí)控制應(yīng)用。