ZHCADW6 June 2023 TMS570LC4357-SEP
5 SEL 結果
在 SEL 表征期間，使用強制熱空氣對器件進行加熱，從而將 IC 溫度保持在 125°C 溫度。通過 K 型熱電偶監測了溫度，該熱電偶連接在盡可能靠近 IC 的位置。用于 SEL 測試的物類是銀 (47Ag) 離子，在 LETEFF = 48MeV-cm2/mg 時，入射角為 0°。該離子真空中的動能為 1.634GeV（15MeV/amu 線）。兩次照射行程使用了大約 105 個離子/s-cm2 的注量率和大約 107 個離子/cm2 的通量。電源電壓以表 3-1 中所述的建議最大電壓設置從外部提供。實現該通量的照射持續時間大約為 {2} 分鐘。
表 5-1 TMS570LC4357-SEP SEL 條件
| 照射行程 | 距離 (mm) | 溫度 (°C) | 離子 | 角度 | 注量率（離子.cm2/mg） | 通量（離子/cm2） | LETeff (MeV.cm2/mg) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| {2} | 40 | 125 | 47Ag | 0° | 1.00E+05 | 1.00E+07 | 48 |
圖 5-1 所示為電源電流隨時間變化的曲線圖。可以看到，未在照射行程中觀察到 SEL 事件。
方程式 1. {σSEL ≤ 3.67} × 10–7 cm2 for LETEFF = 48 MeV-cm2/mg and T = 125°C
圖 5-1 所有三個電源、47Ag、0° 角度且 LETeff = 48MeV 時的 TMS570LC4357-SEP SEL 圖| 電源 | 偏置 |
|---|---|
| VCCAD | 5.25V |
| VCCIO | 3.6V |
| VCC(core) | 1.32V |
照射前后未檢測到與閂鎖事件一致的電流顯著增加。