對(duì)于半橋和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，都必須考慮電源電壓 (V_DD)。該規(guī)格主要與電源開(kāi)關(guān)相關(guān)。除了一般靈活性外，SiC MOSFET 或 IGBT 適合選擇寬 V_DD 范圍（例如 UCC27531：10V 至 32V），因?yàn)閷?duì)于這些開(kāi)關(guān)的高柵源電壓 (V_GS)，該范圍可以在柵極驅(qū)動(dòng)器輸出上提供更大的裕度。一些系統(tǒng)需要較低的 V_DD 工作電源，以便柵極驅(qū)動(dòng)器輸出與 Si MOSFET 或 GaN 等電源開(kāi)關(guān)兼容（例如 UCC27517：4.5V 至 18V）。

在半橋驅(qū)動(dòng)器電路中，還必須考慮 V_DD，避免違反 V_HB–V_HS 等關(guān)鍵電壓規(guī)格。因此，在最終選擇驅(qū)動(dòng)器之前，請(qǐng)檢查器件數(shù)據(jù)表中的建議運(yùn)行條件表，以確認(rèn)所選的 V_DD 不會(huì)出現(xiàn)違反規(guī)格的情況。

除了半橋驅(qū)動(dòng)器的規(guī)格外，需要考慮的另一個(gè)關(guān)鍵電壓是系統(tǒng)的總線電壓。該電壓以及系統(tǒng)的合理余量決定了所需的 V_HS 和 V_HB。

直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的常見(jiàn)總線電壓范圍為 12V 至 110V（直流）。通常，系統(tǒng)使用的元件額定電壓比總線電壓高 50–100%。例如，對(duì)于 48V 系統(tǒng)，具有 100V 或 120V V_HS 電壓的驅(qū)動(dòng)器通?？梢蕴峁┳銐虻乃矐B(tài)裕度。噪聲控制良好的系統(tǒng)通常不需要太多的余量。在其他情況下，設(shè)計(jì)人員更喜歡使用具有更高裕度的驅(qū)動(dòng)器，而不是將布局噪聲降至最低。