ZHCACV9 july 2023 PCM3120-Q1 , PCM5120-Q1 , PCM6120-Q1 , TLV320ADC5120
2.4 快速充電電路
上電時(shí)，耦合電容器充電至共模電壓。通過(guò)在引腳與 Vref/2 之間連接一個(gè)內(nèi)部 800? 電阻器來(lái)完成這個(gè)充電過(guò)程。此連接持續(xù) 2.5ms。這個(gè)時(shí)間足以將 1u 電容器充電至 Vref/2。此過(guò)程稱為快速充電。
僅在耦合電容器充電至穩(wěn)態(tài)值后，ADC 的音頻輸出才正常。
圖 2-6 快速充電電路如果耦合電容器大于 1uf，則可通過(guò) SHDN_CFG 寄存器 (P0 R5) 將持續(xù)時(shí)間設(shè)置為更高的值。
表 2-5 SHDN_CFG 寄存器字段說(shuō)明
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | 保留 | R | 0h | 保留 |
| 5-4 | INCAP_QCHG[1:0] | R/W | 0h | 外部交流耦合電容器的快速充電持續(xù)時(shí)間使用 800Ω 的內(nèi)部串聯(lián)電阻來(lái)設(shè)置。 0d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 2.5ms（典型值） 1d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 12.5ms（典型值） 2d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 25ms（典型值） 3d = INxP、INxM 快速充電持續(xù)時(shí)間為 50ms（典型值） |
| 3-2 | SHDNZ_CFG[1:0] | R/W | 1h | 關(guān)斷配置： 0d = SHDNZ 置位后立即關(guān)斷 DREG 1d = DREG 保持有效，以便在達(dá)到超時(shí)之前徹底關(guān)斷；在超時(shí)之后，強(qiáng)制 DREG 關(guān)斷 2d = DREG 保持有效，直至器件完全關(guān)斷 3d = 保留 |
| 1-0 | DREG_KA_TIME[1:0] | R/W | 1h | 這些位設(shè)置在 SHDNZ 置位后 DREG 在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持有效狀態(tài)。 0d = DREG 保持有效狀態(tài) 30ms（典型值） 1d = DREG 保持有效狀態(tài) 25ms（典型值） 2d = DREG 保持有效狀態(tài) 10ms（典型值） 3d = DREG 保持有效狀態(tài) 5ms（典型值） |
RC 電路達(dá)到電源電壓 90% 所花的時(shí)間按如下公式計(jì)算：
方程式 6.
方程式 7.
方程式 8.
方程式 9.
方程式 10.
表 2-6 列出了不同耦合電容器值對(duì)應(yīng)的 SHDN_CFG 寄存器設(shè)置。
表 2-6 SHDN_CFG 寄存器設(shè)置
| 快速充電時(shí)間 | 耦合電容器 |
|---|---|
| 2.5ms | 1u |
| 12.5ms | 4.7u |
| 25ms | 10u |
| 50ms | 22μ |