ZHCACR9 june 2023 LM74900-Q1 , LM74910-Q1
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- 摘要
- 商標
- 1 LM749x0-Q1 理想二極管控制器概述
- 2 設計 1：具有過壓、欠壓和過流保護以及故障輸出功能的汽車電池反向保護
- 3 設計 2：LM749x0-Q1 作為具有電流監控、過流和欠壓故障指示功能的理想二極管控制器
- 4 設計 3：LM749x0-Q1 作為具有欠壓、過壓和過流保護的高側驅動器
- 5 特性比較：LM749x0-Q1 作為理想二極管 FET 和高側驅動器拓撲
- 6 設計 4：具有通用 PowerPath 斷開功能的雙電源 OR-ing
- 7 設計 5：LM749x0-Q1 作為優先級電源多路復用器控制器
- 8 特性比較：雙路 OR-ing 和優先級電源多路復用器控制器拓撲
- 9 總結
- 10參考文獻
4 設計 3：LM749x0-Q1 作為具有欠壓、過壓和過流保護的高側驅動器
在汽車負載驅動應用中，基于 N 溝道 MOSFET 的高側開關常用于在發生過壓、過流事件等故障時斷開負載與電源線的連接。LM749x0-Q1 可用于驅動外部 MOSFET，以實現具有故障保護功能的簡單高側開關。圖 4-1 顯示了一個典型應用電路，其中 LM749x0-Q1 作為主電源路徑連接和斷開開關，用于驅動外部 MOSFET Q2。器件特性說明中詳細介紹了用于設置過壓 (OV)、斷路器過流（ILIM、TMR）、短路 (ISCP) 和欠壓閾值的引腳配置。
圖 4-1 作為高側驅動器的 LM749x0-Q1 的典型應用電路LM749x0-Q1 僅用于驅動高側 FET 時，DGATE 需要保持懸空，而 A、C 可以短接在一起。
當用作高側開關控制器來驅動外部 MOSFET 時，器件能夠在 SLEEP 模式（SLEEP = 0、EN = 1）下運行，從而確保超低功耗（典型值為 5μA），同時通過導通電阻為 10Ω 的內部旁路開關為常開負載提供負載電流。在 SLEEP 模式下，器件能夠提供過流（典型值為 250mA）和過壓（典型閾值為 21V）保護。
圖 4-2 LM749x0-Q1 SLEEP 模式