1 LM749x0-Q1 理想二極管控制器概述

LM749x0-Q1 系列理想二極管控制器可驅動背對背外部 N 溝道 MOSFET，從而通過斷路器、欠壓和過壓保護功能實現低損耗電源路徑保護。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管，以實現反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下，該器件允許負載斷開（開/關控制）并使用 HGATE 控制提供過壓保護。該器件具有可調節過壓切斷保護功能。通過功率 MOSFET 的共漏極配置，可以使用另一個理想二極管將中點用于 OR-ing 設計。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。該器件具有精確的電流檢測輸出 (IMON) 支持系統，其典型精度為 (+/-10%)，可用于能源管理。該器件集成了具有 FLT 輸出的兩級過流保護，具有完全可調的閾值和響應時間。可以配置自動重試和鎖存故障行為。該器件提供可調節過壓和欠壓保護，可在發生電壓瞬態事件時提供穩健的負載斷開功能。

LM749x0-Q1 具有兩種不同的低功耗模式，具體取決于 EN 和 SLEEP 引腳的狀態。在 SLEEP 模式（SLEEP=低電平、EN=高電平）下，該器件通過關閉外部 MOSFET 柵極驅動器和內部電荷泵而僅消耗 6μA 電流，但同時提供內部旁路路徑，以便為電流容量有限的常開負載供電。當使能引腳處于低電平時，器件通過完全切斷負載進入超低功耗模式，典型流耗為 2.87μA。LM749x0-Q1 的高電壓額定值有助于簡化滿足 ISO7637 汽車保護測試標準的系統設計。LM749x0-Q1 還適用于 ORing 和優先級電源多路復用器應用。