ZHCACO1 may 2023 LM53602 , LM53602-Q1 , LM53603-Q1 , LM63625-Q1 , LM63635-Q1 , LMR14020-Q1 , LMR14030-Q1
有多種方法可以減少振鈴，使 MOSFET 開關(guān)和控制器引腳保持在安全工作區(qū)域內(nèi)，并減少因此造成的 EMI 噪聲，例如使用自舉電阻器、高邊柵極電阻器或 RC 緩沖器。然而，第一種方法是優(yōu)化電路設(shè)計、元件選擇和 PCB 布局，以更大限度地減小關(guān)鍵路徑的寄生電感和環(huán)路面積。TI 提供了許多有關(guān)如何優(yōu)化電路和布局設(shè)計以降低 EMI 的支持文檔。
如果降壓轉(zhuǎn)換器電路的 EMI 水平超過要求水平，并且無法改善布局或濾波，則通過自舉電阻降低降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)速度有助于降低 EMI 水平。