ZHCAC13A February 2019 – January 2023 LM5155 , LM5155-Q1 , LM51551 , LM51551-Q1
3.6 輸出電容器選型
輸出電容器需要使負(fù)載電壓紋波平穩(wěn)，在負(fù)載瞬態(tài)期間提供能量源，并在 MOSFET 導(dǎo)通期間為負(fù)載提供能量。確定輸出電容大小的一種實用方法是基于所需的負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格。負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格與控制環(huán)路交叉頻率有關(guān)。對于此估算，預(yù)計控制環(huán)路交叉頻率設(shè)置為右半平面零點(diǎn)頻率的 1/5。該右半平面零點(diǎn)頻率使用Equation21 計算得出。
Equation21. 
對于此設(shè)計示例，負(fù)載瞬態(tài)規(guī)格表明負(fù)載電壓在從 50% 負(fù)載電流 (2A) 到 100% 負(fù)載電流 (4A) 的負(fù)載瞬態(tài)期間不應(yīng)過沖或下沖超過 100mV。Equation22 用于計算估計的負(fù)載電容，以實現(xiàn)指定的負(fù)載瞬態(tài)負(fù)載電壓紋波要求。
Equation22. 
其中
- ΔILOAD 是負(fù)載電流條件的差異 (4A - 2A)
- ΔVLOAD 是指定的過沖電壓規(guī)格和下沖電壓規(guī)格
在本設(shè)計中，所選 CLOAD 為 540μF。