ZHCAC13A February 2019 – January 2023 LM5155 , LM5155-Q1 , LM51551 , LM51551-Q1
3.4 MOSFET 選型
反激式控制器的 MOSFET 選型需關注功率耗散和額定電壓。MOSFET 的功率耗散包括兩個不同部分：導通損耗和開關損耗。導通損耗取決于 MOSFET 的 RDS(ON) 電阻。N 溝道 MOSFET 導通和關斷時，開關損耗發生在開關節點的上升時間和下降時間期間。在上升時間和下降時間期間，流經 MOSFET 通道的電流和漏源之間的大壓降會導致功率耗散。開關節點的上升時間和下降時間越長，開關損耗越高。選擇小寄生電容 MOSFET 可降低開關損耗。
總柵極電荷 (QG_total) 必須足夠小，使內部 VCC 穩壓器不會超出電流限制。給定 MOSFET 的 QG_total 可在元件數據表中找到。Equation16 用于計算所選開關頻率下 MOSFET 的總柵極電荷上限。所選 MOSFET 的 QG_total 為 35nC。
MOSFET 的 RMS 電流使用Equation17 估算。通過估算開關 RMS 電流，可以選擇 RDS(ON) 值足夠小的 MOSFET。
所選 MOSFET 的 RDS(ON) 為 8.7mΩ。
MOSFET 的漏源擊穿電壓額定值需要高于反射的次級側電壓加上最大輸入電壓，計算方法見Equation18。
由于初級繞組的寄生漏電感，開關節點電壓振鈴遠高于Equation18 中計算得出的值。為了克服開關節點上的振鈴，可以添加電壓鉗位。本應用報告未介紹如何設計此鉗位。對于此設計，選擇了額定電壓為 100V 的 MOSFET。