6 電容

對(duì)于瞬態(tài)和交流系統(tǒng)，開關(guān)電容會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量。請(qǐng)參考 圖 6-1。MOSFET 的主要電容分量有兩個(gè)：開關(guān)兩端的電容以及開關(guān)接地端的電容。在許多 PhotoRelay 數(shù)據(jù)表中，開關(guān)兩端的電容指定為 Coff。該電容將開關(guān)的交流隔離定義為高通濾波器。該電容越大，關(guān)斷時(shí)通過開關(guān)的交流電壓越大。還需要注意的是，該電容在整個(gè)頻率范圍內(nèi)并不平坦，并且通常會(huì)在較高頻率時(shí)增加。對(duì)于多路復(fù)用器器件，數(shù)據(jù)表中通常未定義該參數(shù)，而是直接將關(guān)斷隔離定義為開關(guān)關(guān)斷時(shí)的性能。但是，可以使用圖 6-1輕松地轉(zhuǎn)換這些值。

另一個(gè)關(guān)鍵寄生參數(shù)是多路復(fù)用器上的接地電容。在數(shù)據(jù)表中，這被描述為 Coff（當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí)）和 Con（當(dāng)開關(guān)打開時(shí)）。該電容將交流性能定義為低通濾波器。該電容越大，在高頻下衰減的信號(hào)就越多。在光繼電器中，沒有直接的接地基準(zhǔn)。因此，該電容的等效值定義為總電容。通常，系統(tǒng)中的關(guān)注點(diǎn)實(shí)際上是開關(guān)的 RC。這由導(dǎo)通電阻和乘以的電容一起定義。通常，RC 越低，開關(guān)在高速下的性能就越好。