2 電路方案

FET 驅動器電路將需要接收來自 BQ769x2 的數字控制信號，為 V_FETON 高電平提供電源電壓，并以適合系統設計的速度開關柵極，從而符合圖 1-8 中的電壓范圍。

圖 2-1 展示了基本的電路方案，其中穩壓器為驅動器提供 V_FETON 電壓，該驅動器將 BQ76952 的數字信號電平轉換為 V_FETON 電壓電平。電阻 R4 為放電 FET 柵極提供驅動電壓。由于充電 FET 柵極的范圍格外大，Q3 允許在 Cdrive 關斷時柵極電壓變為負數。當 PACK- 為高電平時，D1 阻止電流進入驅動器。D2 限制 Q1 充電 FET 的柵源電壓。如果 Q1 緩慢導通，R1 會在 Cdrive 導通時提供來自驅動器的電流限制。R2 在 Cdrive 變為低電平時關斷 FET，因為 D1 會阻止驅動器從柵極拉取電流。

當驅動器可以接受其輸出被拉至高于電源電平時，可以使用類似圖 2-2 中的電路。D3 限制驅動器的接入電壓（在其安全范圍內）和 Q3 的柵源電壓。R1 在 D1 后提供有限電流旁路，使驅動器可以幫助下拉柵極；當 PACK- 處于最大電壓時，則必須限制回到 D3 的電流。關斷仍然會很緩慢，一旦 Q1 開始關斷且 PACK- 降低時，R2 將完成充電 FET Q1 的關斷。大多數 IC 驅動器都具有驅動器電壓的 ABS MAX 輸出，因此這類設計需要用到特殊的驅動器。

圖 2-3 展示了這樣一種方法：充電 FET Q1 由驅動器驅動導通或由 Q4 鉗制關斷。這種方法能夠非常有效地關斷 Q1，但無論充電 FET 是導通還是關斷，都需要連續電流。

圖 2-4 與簡單的驅動器電路非常類似，但與僅使用 R2 相比，其增益電路有助于更快地關斷充電 FET。此電路由 Q1 柵極電壓供電，即使 PACK- 電壓降至 GND 電平之下，Q4 也會在電壓存在時保持導通。PNP 或 P 溝道 FET 都可以用于 Q4，FET 電壓會受控制，需要較少的電流，但 V_GSth 可能大于 PNP 晶體管的 V_BE。額外的二極管 D3 在驅動器導通時，將使 Q4 的基極電平高于發射極電平。驅動器必須為 R_GS 電阻 R2 和基極電阻 R5 提供電流，因此在 FET 導通時，需要比簡單驅動器電路更高的電流。

一種高性能方法是將隔離式柵極驅動器用于充電路徑，如圖 2-5 中所示。不管 PACK- 電壓如何，隔離式驅動器可以在需要時非常有效地驅動充電 FET 柵極變為高電平或低電平，但它需要隔離式電源。

本應用報告中的測試電路使用圖 2-1 的簡單驅動器電路和圖 2-4 的 PNP 電路。