ZHCAAD4C June 2021 – November 2021 CD4052B , TS3A225E , TS3A44159
3.3 帶有電荷泵的 NMOS 串聯開關
盡管 NMOS/PMOS 并聯開關中的源漏電阻低于 NMOS 串聯開關中的源漏電阻，但 PMOS 增加了電容，這對于某些應用來說是不可取的。為了解決這個問題，可采用另一種開關結構，即在 NMOS 串聯開關中加入了電荷泵電路。電荷泵電路在 NMOS 的柵極產生的電壓比 VCC 高 2V 到 3V。因此，當輸入達到 VCC 電平時，在 0V 至 VCC 輸入電壓范圍內，開關仍處于閉合狀態，輸出電壓等于輸入電壓。在 NMOS 串聯開關中實現電荷泵電路的缺點是，電荷泵電路會產生額外功耗。圖 3-5 所示為帶有電荷泵的 NMOS 串聯開關的簡單原理圖，圖 3-6 所示為 ron 和 VI 特性。
圖 3-5 帶有電荷泵的 NMOS 串聯開關的基本結構
圖 3-6 帶有電荷泵的 NMOS 串聯開關中的 ron 和 VI (VCC = 3.6V)