11 器件和文檔支持
11.1 器件支持
11.1.1 器件命名規(guī)則
11.1.1.1 電容術(shù)語(yǔ)(以法拉為單位)
- CBULK:CB1 和 CB2 的總輸入電容
- CVDD:VDD 引腳所需的最小電容
- COUT:所需的最小輸出電容
11.1.1.2 占空比相關(guān)術(shù)語(yǔ)
- DMAGCC:CC 模式下二次側(cè)二極管導(dǎo)通占空比,0.432
- DMAX:允許的最大 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間占空比
- NHC:線路降壓期間交流線路頻率的半周期數(shù)
11.1.1.3 頻率術(shù)語(yǔ)(以赫茲為單位)
11.1.1.4 電流術(shù)語(yǔ)(以安培為單位)
11.1.1.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語(yǔ)
11.1.1.6 變壓器術(shù)語(yǔ)
- LP:變壓器初級(jí)電感
- NAS:變壓器輔助繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比
- NPA:變壓器一次側(cè)繞組與輔助繞組匝數(shù)比
- NPS:變壓器一次側(cè)繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比
11.1.1.7 功率術(shù)語(yǔ)(以瓦特為單位)
- PIN:滿載時(shí)轉(zhuǎn)換器的最大輸入功率
- POUT:滿載時(shí)轉(zhuǎn)換器的輸出功率
- PSTBY:待機(jī)時(shí)轉(zhuǎn)換器的總輸入功率
11.1.1.8 電阻術(shù)語(yǔ)(以 Ω 為單位)
- RCS:一次側(cè)電流編程電阻
- RESR:輸出電容的總 ESR
- RPL:轉(zhuǎn)換器輸出端的預(yù)載電阻
- RS1:高側(cè) VS 輸入電阻
- RS2:低側(cè) VS 輸入電阻
11.1.1.9 時(shí)序術(shù)語(yǔ)(以秒為單位)
- tD:總電流感測(cè)延遲(包括 MOSFET 關(guān)斷延遲);在 MOSFET 延遲基礎(chǔ)上增加 50ns
- tDMAG(min):二次側(cè)整流器最短導(dǎo)通時(shí)間(變壓器消磁時(shí)間)
- tON(min):MOSFET 最短導(dǎo)通時(shí)間
- tR:tDMAG 之后的諧振環(huán)周期
11.1.1.10 直流電壓術(shù)語(yǔ)(以伏特為單位)
11.1.1.11 交流電壓術(shù)語(yǔ)(以伏特為單位)
- VIN(max):轉(zhuǎn)換器的最大交流輸入電壓
- VIN(min):轉(zhuǎn)換器的最小交流輸入電壓
- VIN(run):轉(zhuǎn)換器的啟動(dòng)(運(yùn)行)輸入電壓
11.1.1.12 效率術(shù)語(yǔ)
- ηSB:當(dāng)反激式轉(zhuǎn)換器輸出功率為零時(shí)估計(jì)的內(nèi)部預(yù)載功率效率。此效率的計(jì)算方式為:通過(guò) RPL 耗散的轉(zhuǎn)換器內(nèi)部預(yù)載功率除以轉(zhuǎn)換器在待機(jī)狀況下的總輸入功率 (PSTBY)。在設(shè)計(jì)開(kāi)始可使用估計(jì)值 50%。
- η:轉(zhuǎn)換器全額輸出功率條件下的總體效率
- ηXFMR:變壓器的功率傳輸效率
11.2 文檔支持
11.2.1 相關(guān)文檔
- 用于快速瞬態(tài) PSR 的 UCC24650 200V 喚醒監(jiān)控器,SLUSBL6
- 具有 CVCC 和喚醒監(jiān)控功能的 UCC28730 零功耗待機(jī) PSR 反激式控制器,SLUSBL5
- 《UCC28730EVM-552 EVM 用戶指南,使用 UCC28730EVM-552》,SLUUB75
11.3 接收文檔更新通知
要接收文檔更新通知,請(qǐng)導(dǎo)航至德州儀器 TI.com.cn 上的器件產(chǎn)品文件夾。請(qǐng)單擊右上角的通知我 進(jìn)行注冊(cè),即可收到任意產(chǎn)品信息更改每周摘要。有關(guān)更改的詳細(xì)信息,請(qǐng)查看任意已修訂文檔中包含的修訂歷史記錄。
11.4 社區(qū)資源
下列鏈接提供到 TI 社區(qū)資源的連接。鏈接的內(nèi)容由各個(gè)分銷(xiāo)商“按照原樣”提供。這些內(nèi)容并不構(gòu)成 TI 技術(shù)規(guī)范,并且不一定反映 TI 的觀點(diǎn);請(qǐng)參閱 TI 的 《使用條款》。
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11.5 商標(biāo)
E2E is a trademark of Texas Instruments.
11.6 靜電放電警告

這些裝置包含有限的內(nèi)置 ESD 保護(hù)。 存儲(chǔ)或裝卸時(shí),應(yīng)將導(dǎo)線一起截短或?qū)⒀b置放置于導(dǎo)電泡棉中,以防止 MOS 門(mén)極遭受靜電損傷。
11.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.