通過在 DT 引腳和 GND 之間放置一個(gè)電阻器 R_DT 來對 t_DT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器來旁路此引腳，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能。可以根據(jù)以下公式確定合適的 R_DT 值：

方程式 1.

其中

• t_DT 是已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間，單位為納秒。
• R_DT 是 DT 引腳和 GND 之間的電阻值，單位為千歐。

R_DT 對此引腳上的小電流進(jìn)行編程，用于設(shè)置死區(qū)時(shí)間。隨著 R_DT 值的增加，DT 引腳提供上的電流減小。當(dāng) R_DT = 100kΩ 時(shí)，DT 引腳電流將小于 10μA。對于更大的 R_DT 值，TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 R_DT 和一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能并在兩個(gè)通道之間實(shí)現(xiàn)更好的死區(qū)時(shí)間匹配。

一個(gè)輸入信號的下降沿會(huì)啟動(dòng)已編程設(shè)定的另一個(gè)信號的死區(qū)時(shí)間。已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間是驅(qū)動(dòng)器將兩個(gè)輸出保持低電平的最短強(qiáng)制持續(xù)時(shí)間。如果 INA 和 INB 信號包含的死區(qū)持續(xù)時(shí)間長于已編程設(shè)定的最短時(shí)間，則輸出保持低電平的持續(xù)時(shí)間也會(huì)長于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。如果兩個(gè)輸入同時(shí)都處于高電平，則兩個(gè)輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于在半橋應(yīng)用中防止擊穿，并且它并不影響正常運(yùn)行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。下圖顯示并說明了各種驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間邏輯工作條件。

圖 8-4 各種輸入信號條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系

條件 A：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖健NB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 B：INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖健NA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 C：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并為 OUTA 分配已編程死區(qū)時(shí)間。在這種情況下，輸入信號死區(qū)時(shí)間長于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。當(dāng) INA 在輸入信號死區(qū)時(shí)間后變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，它立即將 OUTA 設(shè)為高電平。

條件 D：INA 變?yōu)榈碗娖剑琁NB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在這種情況下，輸入信號死區(qū)時(shí)間長于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。當(dāng) INB 在輸入信號死區(qū)時(shí)間后變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，它立即將 OUTB 設(shè)為高電平。

條件 E：INA 變?yōu)楦唠娖剑?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過沖，OUTB 被立即拉至低電平。一段時(shí)間后，OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 F：INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過沖，OUTA 被立即拉至低電平。一段時(shí)間后，OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>