ZHCSKZ7D June 2020 – August 2024 UCC21540-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
-
9 應(yīng)用和實(shí)施
- 9.1 應(yīng)用信息
- 9.2
典型應(yīng)用
- 9.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 9.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 9.2.3 應(yīng)用曲線
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13修訂歷史記錄
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
9.2.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電阻器
外部柵極驅(qū)動(dòng)器電阻器 RON/ROFF 用于：
- 限制寄生電感/電容引起的振鈴。
- 限制高電壓/電流開關(guān) dv/dt、di/dt 和體二極管反向恢復(fù)引起的振鈴。
- 微調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，即峰值灌電流和拉電流，以優(yōu)化開關(guān)損耗。
- 降低電磁干擾 (EMI)。
如節(jié) 8.3.4中所述， UCC21540-Q1 具有包含并聯(lián) P 溝道 MOSFET 和額外上拉 N 溝道 MOSFET 的上拉結(jié)構(gòu)。組合峰值拉電流為 4A。因此，可使用以下公式來預(yù)測峰值拉電流：
其中
- RON：外部導(dǎo)通電阻。
- RGFET_INT：功率晶體管內(nèi)部柵極電阻（見于功率晶體管數(shù)據(jù)表）。
- IO+ = 峰值拉電流 – 4A、柵極驅(qū)動(dòng)器峰值拉電流和根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)回路電阻計(jì)算出的值中的最小值。
在本例中：
因此，高側(cè)和低側(cè)峰值拉電流分別為 2.3A 和 2.5A。類似地，可以使用以下公式來計(jì)算峰值灌電流：
其中
- ROFF：在本例中，外部關(guān)斷電阻 ROFF 為 0；
- VGDF：與 ROFF 串聯(lián)的反向并聯(lián)二極管正向壓降。本例中的二極管為 MSS1P4。
- IO-：峰值灌電流 – 6A、柵極驅(qū)動(dòng)器峰值灌電流和根據(jù)柵極驅(qū)動(dòng)回路電阻計(jì)算出的值中的最小值。
在本例中：
因此，高側(cè)和低側(cè)峰值灌電流分別為 5.0A 和 5.4A。
重要的是，估算的峰值電流也受 PCB 布局和負(fù)載電容的影響。柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路中的寄生電感可以減慢峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流并導(dǎo)致過沖和下沖。因此，強(qiáng)烈建議最大限度地縮小柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路。另一方面，當(dāng)功率晶體管的負(fù)載電容 (CISS) 非常?。ㄍǔＰ∮?1 nF）時(shí)，峰值拉電流/灌電流取決于環(huán)路寄生效應(yīng)，因?yàn)樯仙拖陆禃r(shí)間太短，接近于寄生振鈴周期。
如果不能將 OUTx 電壓控制在數(shù)據(jù)表中的絕對最大額定值以下（包括瞬態(tài)），在某些情況下可能對器件造成永久損壞。若要減少過多的柵極振鈴，建議在 FET 柵極附近放置一個(gè)鐵氧體磁珠。存在擴(kuò)展的過沖/下沖時(shí)，也可以使用外部鉗位二極管，以便將 OUTx 電壓鉗位至 VDDx 和 VSSx 電壓。