ZHCSKZ7D June 2020 – August 2024 UCC21540-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
通過在 DT 引腳和 GND 之間放置一個電阻器 RDT 來對 tDT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個 ≤1nF 的陶瓷電容器來旁路此引腳,從而實現(xiàn)更佳的抗噪性能。可以根據(jù)以下公式確定合適的 RDT 值:

其中
RDT 對此引腳上的小電流進行編程,用于設(shè)置死區(qū)時間。隨著 RDT 值的增加,DT 引腳提供上的電流減小。當 RDT = 100kΩ 時,DT 引腳電流將小于 10μA。對于更大的 RDT 值,TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 RDT 和一個 ≤1nF 的陶瓷電容器,從而實現(xiàn)更佳的抗噪性能并在兩個通道之間實現(xiàn)更好的死區(qū)時間匹配。
一個輸入信號的下降沿會啟動已編程設(shè)定的另一個信號的死區(qū)時間。已編程設(shè)定的死區(qū)時間是驅(qū)動器將兩個輸出保持低電平的最短強制持續(xù)時間。如果 INA 和 INB 信號包含的死區(qū)持續(xù)時間長于已編程設(shè)定的最短時間,則輸出保持低電平的持續(xù)時間也會長于已編程設(shè)定的死區(qū)時間。如果兩個輸入同時都處于高電平,則兩個輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于在半橋應(yīng)用中防止擊穿,并且它并不影響正常運行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時間。下圖顯示并說明了各種驅(qū)動器死區(qū)時間邏輯工作條件。
圖 8-4 各種輸入信號條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系條件 A:INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖?。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后,OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 B:INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖?。INA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后,OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 C:INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并為 OUTA 分配已編程死區(qū)時間。在這種情況下,輸入信號死區(qū)時間長于已編程設(shè)定的死區(qū)時間。當 INA 在輸入信號死區(qū)時間后變?yōu)楦唠娖綍r,它立即將 OUTA 設(shè)為高電平。
條件 D:INA 變?yōu)榈碗娖?,INB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。在這種情況下,輸入信號死區(qū)時間長于已編程設(shè)定的死區(qū)時間。當 INB 在輸入信號死區(qū)時間后變?yōu)楦唠娖綍r,它立即將 OUTB 設(shè)為高電平。
條件 E:INA 變?yōu)楦唠娖?,?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過沖,OUTB 被立即拉至低電平。一段時間后,OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后,OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 F:INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過沖,OUTA 被立即拉至低電平。一段時間后,OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后,OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>