ZHCSJ18D October 2018 – November 2024 UCC21530
PRODUCTION DATA
7.4.2.2 DT 引腳連接至 DT 和 GND 引腳之間的編程電阻器
通過在 DT 引腳和 GND 之間放置一個電阻器 RDT 來對 tDT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個 ≤1nF 的陶瓷電容器來旁路此引腳，從而實現更佳的抗噪性能。可以根據以下公式確定合適的 RDT 值：
其中
- tDT 是已編程設定的死區時間，單位為納秒。
- RDT 是 DT 引腳和 GND 之間的電阻值，單位為千歐。
DT 引腳上的穩態電壓約為 0.8V。RDT 對此引腳上的小電流進行編程，從而設置死區時間。隨著 RDT 值的增加，DT 引腳提供上的電流減小。當 RDT = 100kΩ 時，DT 引腳電流將小于 10μA。對于更大的 RDT 值，TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 RDT 和一個 ≤1nF 的陶瓷電容器，從而實現更佳的抗噪性能并在兩個通道之間實現更好的死區時間匹配。
一個輸入信號的下降沿會啟動已編程設定的另一個信號的死區時間。已編程設定的死區時間是驅動器將兩個輸出保持低電平的最短強制持續時間。如果 INA 和 INB 信號包含的死區持續時間長于已編程設定的最短時間，則輸出保持低電平的持續時間也會長于已編程設定的死區時間。如果兩個輸入同時都處于高電平，則兩個輸出都將立即被設為低電平。此特性用于在半橋應用中防止擊穿，并且它并不影響正常運行所需的已編程設定的死區時間。圖 7-4 顯示并說明了各種驅動器死區時間邏輯工作條件。
圖 7-4 各種輸入信號條件下輸入與輸出邏輯之間的關系條件 A：INB 變為低電平，INA 變為高電平。INB 立即將 OUTB 設為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTA。在已編程設定的死區時間后，OUTA 能夠變為高電平。
條件 B：INB 變為高電平，INA 變為低電平。INA 現在立即將 OUTA 設為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTB。在已編程設定的死區時間后，OUTB 能夠變為高電平。
條件 C：INB 變為低電平，INA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTA。在這種情況下，輸入信號的自身 死區時間長于已編程死區時間。因此，當 INA 變為高電平時，INB 立即將 OUTA 設為高電平。
條件 D：INA 變為低電平，INB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTB。INB 的自身 死區時間長于已編程死區時間。因此，當 INB 變為高電平時，INB 立即將 OUTB 設為高電平。
條件 E：INA 變為高電平，而 INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過沖，INA 立即將 OUTB 拉至低電平并使 OUTA 保持低電平狀態。一段時間后，OUTB 變為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTA。OUTB 已經為低電平。在已編程設定的死區時間后，OUTA 能夠變為高電平。
條件 F：INB 變為高電平，而 INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過沖，INB 立即將 OUTA 拉至低電平并使 OUTB 保持低電平狀態。一段時間后，OUTA 變為低電平并將已編程設定的死區時間分配給 OUTB。OUTA 已經為低電平。在已編程設定的死區時間后，OUTB 能夠變為高電平。