ZHCSJ18D October 2018 – November 2024 UCC21530
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 8-5 展示了一種多脈沖基準(zhǔn)測試電路,其使用 L1 作為電感器負(fù)載,并產(chǎn)生一組控制脈沖以評(píng)估驅(qū)動(dòng)器和 SiC MOSFET 在不同負(fù)載條件下的開關(guān)瞬態(tài)。測試條件為:VDC-Link = 600V、VCC = 5V、VDD = 15V、VSS = –4V、fSW = 500kHz、RON = 5.1Ω、ROFF = 1.0Ω。圖 8-6 展示了大約 20A 電流時(shí)的導(dǎo)通和關(guān)斷波形
通道 1(黃色):低側(cè) MOSFET 上的柵極源電壓信號(hào)。
通道 2(藍(lán)色):高側(cè) MOSFET 上的柵極源電壓信號(hào)。
通道 3(粉色):低側(cè) MOSFET 上的漏極源電壓信號(hào)。
通道 4(綠色):低側(cè) MOSFET 上的漏極源電流信號(hào)。
在圖 8-6 中,高功率和低功率晶體管上的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)具有 100ns 死區(qū)時(shí)間,并且兩種信號(hào)均使用 >= 500MHz 帶寬探針進(jìn)行測量。
圖 8-5 具有 SiC MOSFET 開關(guān)的基準(zhǔn)測試電路
圖 8-6 SiC MOSFET 開關(guān)波形