ZHCSJ18D October 2018 – November 2024 UCC21530
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.4.2.2 DT 引腳連接至 DT 和 GND 引腳之間的編程電阻器
通過(guò)在 DT 引腳和 GND 之間放置一個(gè)電阻器 RDT 來(lái)對(duì) tDT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器來(lái)旁路此引腳，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能。可以根據(jù)以下公式確定合適的 RDT 值：
其中
- tDT 是已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間，單位為納秒。
- RDT 是 DT 引腳和 GND 之間的電阻值，單位為千歐。
DT 引腳上的穩(wěn)態(tài)電壓約為 0.8V。RDT 對(duì)此引腳上的小電流進(jìn)行編程，從而設(shè)置死區(qū)時(shí)間。隨著 RDT 值的增加，DT 引腳提供上的電流減小。當(dāng) RDT = 100kΩ 時(shí)，DT 引腳電流將小于 10μA。對(duì)于更大的 RDT 值，TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 RDT 和一個(gè) ≤1nF 的陶瓷電容器，從而實(shí)現(xiàn)更佳的抗噪性能并在兩個(gè)通道之間實(shí)現(xiàn)更好的死區(qū)時(shí)間匹配。
一個(gè)輸入信號(hào)的下降沿會(huì)啟動(dòng)已編程設(shè)定的另一個(gè)信號(hào)的死區(qū)時(shí)間。已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間是驅(qū)動(dòng)器將兩個(gè)輸出保持低電平的最短強(qiáng)制持續(xù)時(shí)間。如果 INA 和 INB 信號(hào)包含的死區(qū)持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于已編程設(shè)定的最短時(shí)間，則輸出保持低電平的持續(xù)時(shí)間也會(huì)長(zhǎng)于已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。如果兩個(gè)輸入同時(shí)都處于高電平，則兩個(gè)輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于在半橋應(yīng)用中防止擊穿，并且它并不影響正常運(yùn)行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間。圖 7-4 顯示并說(shuō)明了各種驅(qū)動(dòng)器死區(qū)時(shí)間邏輯工作條件。
圖 7-4 各種輸入信號(hào)條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系條件 A：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖健NB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 B：INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖健NA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 C：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。在這種情況下，輸入信號(hào)的自身 死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)于已編程死區(qū)時(shí)間。因此，當(dāng) INA 變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，INB 立即將 OUTA 設(shè)為高電平。
條件 D：INA 變?yōu)榈碗娖剑琁NB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。INB 的自身 死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)于已編程死區(qū)時(shí)間。因此，當(dāng) INB 變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，INB 立即將 OUTB 設(shè)為高電平。
條件 E：INA 變?yōu)楦唠娖剑?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過(guò)沖，INA 立即將 OUTB 拉至低電平并使 OUTA 保持低電平狀態(tài)。一段時(shí)間后，OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>
條件 F：INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過(guò)沖，INB 立即將 OUTA 拉至低電平并使 OUTB 保持低電平狀態(tài)。一段時(shí)間后，OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時(shí)間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時(shí)間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>