通過在 DT 引腳和 GND 之間放置一個電阻器 R_DT 來對 t_DT 編程。TI 建議靠近 DT 引腳放置一個 ≤1nF 的陶瓷電容器來旁路此引腳，從而實現(xiàn)更佳的抗噪性能。可以根據(jù)以下公式確定合適的 R_DT 值：

方程式 1.

其中

• t_DT 是已編程設(shè)定的死區(qū)時間，單位為納秒。
• R_DT 是 DT 引腳和 GND 之間的電阻值，單位為千歐。

DT 引腳上的穩(wěn)態(tài)電壓約為 0.8V。R_DT 對此引腳上的小電流進(jìn)行編程，從而設(shè)置死區(qū)時間。隨著 R_DT 值的增加，DT 引腳提供上的電流減小。當(dāng) R_DT = 100kΩ 時，DT 引腳電流將小于 10μA。對于更大的 R_DT 值，TI 建議盡可能靠近 DT 引腳放置 R_DT 和一個 ≤1nF 的陶瓷電容器，從而實現(xiàn)更佳的抗噪性能并在兩個通道之間實現(xiàn)更好的死區(qū)時間匹配。

一個輸入信號的下降沿會啟動已編程設(shè)定的另一個信號的死區(qū)時間。已編程設(shè)定的死區(qū)時間是驅(qū)動器將兩個輸出保持低電平的最短強(qiáng)制持續(xù)時間。如果 INA 和 INB 信號包含的死區(qū)持續(xù)時間長于已編程設(shè)定的最短時間，則輸出保持低電平的持續(xù)時間也會長于已編程設(shè)定的死區(qū)時間。如果兩個輸入同時都處于高電平，則兩個輸出都將立即被設(shè)為低電平。此特性用于在半橋應(yīng)用中防止擊穿，并且它并不影響正常運行所需的已編程設(shè)定的死區(qū)時間。圖 7-4 顯示并說明了各種驅(qū)動器死區(qū)時間邏輯工作條件。

圖 7-4 各種輸入信號條件下輸入與輸出邏輯之間的關(guān)系

條件 A：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 變?yōu)楦唠娖健NB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTA。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 B：INB 變?yōu)楦唠娖剑琁NA 變?yōu)榈碗娖健NA 現(xiàn)在立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 C：INB 變?yōu)榈碗娖剑琁NA 仍為低電平。INB 立即將 OUTB 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTA。在這種情況下，輸入信號的自身 死區(qū)時間長于已編程死區(qū)時間。因此，當(dāng) INA 變?yōu)楦唠娖綍r，INB 立即將 OUTA 設(shè)為高電平。

條件 D：INA 變?yōu)榈碗娖剑琁NB 仍為低電平。INA 立即將 OUTA 設(shè)為低電平并將已編程設(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。INB 的自身 死區(qū)時間長于已編程死區(qū)時間。因此，當(dāng) INB 變?yōu)楦唠娖綍r，INB 立即將 OUTB 設(shè)為高電平。

條件 E：INA 變?yōu)楦唠娖剑?INB 和 OUTB 仍為高電平。為了避免過沖，INA 立即將 OUTB 拉至低電平并使 OUTA 保持低電平狀態(tài)。一段時間后，OUTB 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTA。OUTB 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后，OUTA 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>

條件 F：INB 變?yōu)楦唠娖剑?INA 和 OUTA 仍為高電平。為了避免過沖，INB 立即將 OUTA 拉至低電平并使 OUTB 保持低電平狀態(tài)。一段時間后，OUTA 變?yōu)榈碗娖讲⒁丫幊淘O(shè)定的死區(qū)時間分配給 OUTB。OUTA 已經(jīng)為低電平。在已編程設(shè)定的死區(qū)時間后，OUTB 能夠變?yōu)楦唠娖健?/p>