ZHCSJ20F August 2018 – September 2024 UCC21530-Q1
PRODUCTION DATA
圖 8-5 展示了一種多脈沖基準測試電路,其使用 L1 作為電感器負載,并產生一組控制脈沖以評估驅動器和 SiC MOSFET 在不同負載條件下的開關瞬態。測試條件為:VDC-Link = 600V、VCC = 5V、VDD = 15V、VSS = –4V、fSW = 500kHz、RON = 5.1Ω、ROFF = 1.0Ω。圖 8-6 展示了大約 20A 電流時的導通和關斷波形
通道 1(黃色):低側 MOSFET 上的柵極源電壓信號。
通道 2(藍色):高側 MOSFET 上的柵極源電壓信號。
通道 3(粉色):低側 MOSFET 上的漏極源電壓信號。
通道 4(綠色):低側 MOSFET 上的漏極源電流信號。
在圖 8-6 中,高功率和低功率晶體管上的柵極驅動信號具有 100ns 死區時間,并且兩種信號均使用 >= 500MHz 帶寬探針進行測量。
圖 8-5 具有 SiC MOSFET 開關的基準測試電路
圖 8-6 SiC MOSFET 開關波形