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ZHCSRY5A april 2023 – august 2023 UCC14241-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DWN|36
- MPSS132

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsry5a_oa

7.6 電氣特性

在工作溫度范圍（T_J = –40°C 至 150°C）內，V_VIN = 21V 至 27V，C_IN = 10μF，C_OUT = 2.2μF，R_LIM = 1k?，V_ENA = 5V，除非另有說明。T_A = 25°C 且 V_VIN = 24V 時的所有典型值。

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電源（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
V_VIN	輸入電壓范圍	初級側輸入電壓至 GNDP	21	24	27	V
I_{VINQ_OFF}	VIN 靜態電流，已禁用	V_ENA=0V；V_VIN=21V 至 27V			700	μA
I_{VIN_ON_NO_LOAD}	VIN 工作電流，已啟用，空載	V_ENA = 5V；V_VIN = 21V 至 27V；(VDD-VEE) = 25V 調節；I_VDD-VEE = 0mA。單路輸出。			35	mA
I_{VIN_ON_FULL_LOAD}	VIN 工作電流，已啟用，滿載	V_ENA = 5V；V_VIN = 21V 至 27V；(VDD-VEE) = 25V 調節；I_VDD-VEE = 60mA。單路輸出。			250	mA
UVLOP 比較器（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
V_{VIN_ANALOG_UVLOP_RISING}	VIN 模擬欠壓鎖定上升閾值	模擬比較器始終先運行	7.8	8.2	8.5	V
V_{VIN_ANALOG_UVLOP_FALLING}	VIN 模擬欠壓鎖定下降閾值	模擬比較器始終先運行	7	7.4	7.7	V
V_{VIN_UVLOP_RISING}	VIN 欠壓鎖定上升閾值		19	20	21	V
V_{VIN_UVLOP_FALLING}	VIN 欠壓鎖定下降閾值		17.1	18	18.9	V
OVLO 比較器（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
V_{VIN_OVLO_RISING}	VIN 過壓鎖定上升閾值		29.45	31	32.55	V
V_{VIN_OVLO_FALLING}	VIN 過壓鎖定下降閾值		26	29	31.5	V
TSHUTP 熱關斷比較器（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
TSHUTP_{PRIMARY_RISE}	初級側過熱關斷上升閾值	首次上電時，T_J 需要低于 130°C 才能啟用	140	150	160	°C
TSHUTP_{PRIMARY_HYST}	初級側過熱關斷遲滯		15	20	25	°C
ENA 輸入引腳（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
V_{EN_IR}	輸入電壓上升閾值，邏輯高電平	上升沿	1.25		1.95	V
V_{EN_IF}	輸入電壓下降閾值，邏輯低電平	下降沿	0.84		1.50	V
I_EN	使能引腳輸入電流	V_ENA = 5.0V		5.8	18	μA
PG 開漏輸出引腳（初級側，所有電壓均以 GNDP 為基準）
V_{PG_OUT_LO}	PG 輸出低飽和電壓	灌電流 = 5mA，電源正常			0.5	V
I_{PG_OUT_HI}	PG 漏電流	V_PG = 5.5V，電源不正常			5	μA
初級側控制（所有電壓均以 GNDP 為基準）
F_SW	開關頻率	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V	11	13	15	MHz
F_SSM	展頻調制 (SSM) 三角波形的頻率	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V		90		kHz
F_CARRIER 的 SSM 百分比變化	三角波形展頻調制 (SSM) 期間載波頻率的 SSM 百分比變化	V_VIN = 24V；V_ENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V		5		%
t_{SOFT_START_TIME_OUT}	初級側軟啟動超時	當 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 為高電平時計時器開始工作，當電源正常引腳指示正常時復位		34.8		ms
(VDD-VEE) 輸出電壓（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VDD_RANGE}	(VDD-VEE) 輸出電壓范圍	P_{OUT_MAX}（高達 1.5W，T_A = 105^oC）	18		25	V
V_{VDD_RANGE}	(VDD-VEE) 輸出電壓范圍	P_{OUT_MAX}（高達 1.3W，T_A = 105^oC）	15		25	V
V_{VDD_DC_ACCURACY}	(VDD-VEE) 輸出電壓直流調節精度	次級側 (VDD-VEE) 輸出電壓，在負載、線性變化和溫度范圍內，通過外部電阻分壓器進行外部調節	-1.3		1.3	%
(VDD-VEE) 調節遲滯比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{FBVDD_REF}	(VDD-VEE) 的反饋調節基準電壓	(VDD-VEE) 穩壓輸出	2.4675	2.5	2.5325	V
V_{FBVDD_HYST}	FBVDD 遲滯比較器遲滯設置。FBVDD 引腳遲滯。[(VDD-VEE) 遲滯會通過反饋電阻分壓器增益來放大此 FBVDD 遲滯。]		9	10	12.3	mV
(COM-VEE) 輸出電壓（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VEE_RANGE}	(COM-VEE) 輸出電壓范圍	次級側 (COM-VEE)，通過外部電阻分壓器進行調節	2.5		(VDD-VEE)	V
V_{VEE_DC_ACURACY}	(COM-VEE) 輸出電壓直流調節精度	次級側 (COM-VEE) 輸出電壓，在負載、線性變化和溫度范圍內，通過外部電阻分壓器進行外部調節	–1.3		1.3	%
(COM-VEE) 調節遲滯比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{FBVEE_REF}	(COM-VEE) 的反饋調節基準電壓	(COM-VEE) 穩壓輸出	2.4675	2.5	2.5325	V
V_{RLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE}	用于退出 PWM 的 Rlim 短路充電比較器上升閾值	上升閾值		0.73		V
t_{RLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME}	RLIM 引腳短路充電 PWM 模式期間的導通時間	RLIM 引腳 < 0.645V，而 FBVEE 引腳 < 2.48V		1.2		us
t_{RLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME}	RLIM 引腳短路充電 PWM 模式期間的關斷時間	RLIM 引腳 < 0.645V，而 FBVEE 引腳 < 2.48V		5		us
(VDD-VEE) UVLO 比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VDD_UVLO_RISING}	(VDD-VEE) 欠壓鎖定上升閾值	FBVDD 處的電壓		0.9		V
V_{VDD_UVLO_HYST}	(VDD-VEE) 欠壓鎖定遲滯	FBVDD 處的電壓		0.2		V
(VDD-VEE) OVLO 比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VDD_OVLOS_RISING}	(VDD-VEE) 過壓鎖定上升閾值	電壓范圍為 VDD 至 VEE，上升	29.45	31	32.55	V
V_{VDD_OVLOS_FALLING}	(VDD-VEE) 過壓鎖定下降閾值	電壓范圍為 VDD 至 VEE，下降	27.55	29	30.45	V
軟啟動（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
t_blankout	軟啟動后、PG 之前，(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的消隱時間			3		ms
(VDD-VEE) UVP，欠壓保護比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VDD_UVP_RISING}	(VDD-VEE) 欠壓保護上升閾值，V_UVP = V_REF × 90%		2.175	2.25	2.35	V
V_{VDD_UVP_HYST}	(VDD-VEE) 欠壓保護遲滯			20		mV
(VDD-VEE) OVP，過壓保護比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VDD_OVP_RISING}	(VDD-VEE) 過壓鎖定上升閾值，V_OVP = V_REF × 110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VDD_OVP_HYST}	(VDD-VEE) 過壓保護遲滯			20		mV
(COM-VEE) UVP，欠壓保護比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VEE_UVP_RISING}	(COM-VEE) 欠壓保護上升閾值，V_UVP = V_REF × 90%		2.1	2.25	2.4	V
V_{VEE_UVP_HYST}	(COM-VEE) 欠壓保護遲滯			20		mV
(COM-VEE) OVP，過壓保護比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
V_{VEE_OVP_RISING}	(COM-VEE) 過壓保護上升閾值，V_OVP = V_REF × 110%		2.7	2.75	2.825	V
V_{VEE_OVP_HYST}	(COM-VEE) 過壓保護遲滯			20		mV
TSHUTS 熱關斷比較器（次級側，所有電壓均以 VEE 為基準）
TSHUTS_{SECONDARY_RISE}	次級側過熱關斷上升閾值	首次上電時，Tj 需要低于 130^oC 才能啟用。	140	150	160	°C
TSHUTS_{SECONDARY_HYST}	次級側過熱關斷遲滯		15	20	25	°C
CMTI（共模瞬態抗擾度）
CMTI	共模瞬態抗擾度	以 GNDP 為基準的正 VEE	150			V/ns
CMTI	共模瞬態抗擾度	以 GNDP 為基準的負 VEE			-150	V/ns
集成式 MAGLAM 變壓器（初級側至次級側。注意：這些值對于每個 XFMR 版本都是唯一的）
N	變壓器有效匝數比	次級側至初級側		1.18		-