6 引腳配置和功能

圖 6-1 DWN 封裝，36 引腳 SSOP（頂視圖）

表 6-1 引腳功能

引腳		類(lèi)型⁽¹⁾	說(shuō)明
名稱(chēng)	編號(hào)	類(lèi)型⁽¹⁾	說(shuō)明
GNDP	1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18	G	VIN 的初級(jí)側(cè)接地連接。引腳 1、2 和 5 是模擬地。引腳 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17 和 18 是電源地。在覆銅上放置幾個(gè)過(guò)孔以進(jìn)行散熱。請(qǐng)參閱布局指南部分。
PG	3	O	低電平有效電源正常開(kāi)漏輸出引腳。當(dāng) (V_{VIN_UVLOP} ≤ V_VIN ≤ V_{VIN_OVLOP})、(V_{VDD_UVP} ≤ V_FBVDD ≤ V_{VDD_OVP})、(V_{VEE_UVP} ≤ V_FBVEE ≤ V_{VEE_OVP})、T_{J_Primary} ≤ TSHUTP_{PRIMARY_RISE} 和 T_{J_secondary} ≤ TSHUTS_{SECONDARY_RISE} 時(shí)，PG 保持低電平
ENA	4	I	啟用引腳。強(qiáng)制 ENA 為低電平會(huì)禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。
VIN	6、7	P	初級(jí)輸入電壓。引腳 6 用于模擬輸入，引腳 7 用于電源輸入。對(duì)于引腳 7，將一個(gè) 10μF 陶瓷電容器從電源 VIN 引腳 7 連接到電源 GNDP 引腳 8。在引腳 7 和引腳 8 附近連接一個(gè) 0.1μF 高頻旁路陶瓷電容器。
VEE	19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36	G	用于 VDD 和 COM 的次級(jí)側(cè)參考連接。VEE 引腳用于高電流返回路徑。
VDD	28、29	P	來(lái)自變壓器的次級(jí)側(cè)隔離式輸出電壓。在 VDD 和 VEE 之間連接一個(gè) 2.2μF 和一個(gè)并聯(lián)的 0.1μF 陶瓷電容。0.1μF 陶瓷電容是高頻旁路，必須靠近 IC 引腳。可以使用 4.7μF 或 10μF 陶瓷電容器代替 2.2μF，以便進(jìn)一步降低輸出紋波電壓。
RLIM	32	P	第二個(gè)次級(jí)側(cè)隔離式輸出電壓電阻，用于限制從 VDD 到 COM 節(jié)點(diǎn)的拉電流和從 COM 到 VEE 的灌電流。在 RLIM 和 COM 之間連接一個(gè)電阻以調(diào)節(jié) (COM – VEE) 電壓。有關(guān)更多詳情，請(qǐng)參閱 R_LIM 電阻器選型。
FBVEE	33	I	反饋 (COM – VEE) 輸出電壓檢測(cè)引腳用于調(diào)整輸出 (COM – VEE) 電壓。在 COM 和 VEE 之間連接一個(gè)電阻分壓器，使中點(diǎn)連接到 FBVEE，調(diào)節(jié)時(shí)的等效 FBVEE 電壓為 2.5V。在低側(cè)反饋電阻并聯(lián)一個(gè) 330pF 陶瓷電容，用于高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或底層（兩層通過(guò)過(guò)孔連接）的 FBVEE 和 VEEA IC 引腳。
FBVDD	34	I	反饋 (VDD – VEE) 輸出電壓檢測(cè)引腳用于調(diào)整輸出 (VDD – VEE) 電壓。在 VDD 和 VEE 之間連接一個(gè)電阻分壓器，使中點(diǎn)連接到 FBVDD，調(diào)節(jié)時(shí)的等效 FBVDD 電壓為 2.5V。在低側(cè)反饋電阻并聯(lián)一個(gè) 330pF 陶瓷電容，用于高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或底層（兩層通過(guò)過(guò)孔連接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引腳。
VEEA	35	G	用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級(jí)側(cè)模擬檢測(cè)參考連接。將低側(cè)反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 VEEA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD 或 FBVEE。連接到次級(jí)側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)最低電壓基準(zhǔn) VEE。使用單點(diǎn)連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 VEEA 引腳放置。請(qǐng)參閱布局指南部分。

(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出