以下列表總結(jié)了用于優(yōu)化直流/直流模塊性能（包括熱特性和 EMI 簽名）的 PCB 布局和元件放置基本指南。圖 8-24 展示了 TPSM64406 的推薦 PCB 布局，并優(yōu)化了功率級和小信號元件的布局和布線。
- 將輸入電容器盡可能靠近 VIN 引腳放置。請注意，輸入電容器基于模塊封裝每一側(cè)的 VIN1 和 VIN2 引腳的雙對稱排列。高頻電流分為兩個部分并有效地反向流動，使相關(guān)磁場相互抵消，從而提高 EMI 性能。
- 使用具有 X7R 或 X7S 電介質(zhì)的低 ESR 1206 或 1210 陶瓷電容器。該模塊集成了兩個 0402 輸入電容器，用于高頻旁路。
- 輸入電容器的接地返回路徑必須包含連接到模塊下方 PGND 焊盤的局部頂層平面。
- 即使 VIN 引腳在內(nèi)部連接，也要在較低的 PCB 層上使用寬多邊形平面將這些引腳連接在一起并連接到輸入電源。
- 將輸出電容器盡可能靠近 VOUT 引腳放置。輸出電容器采用類似的雙路對稱布置，可消除磁場并降低 EMI。
- 輸出電容器的接地返回路徑必須包含連接到模塊下方 PGND 焊盤的局部頂層平面。
- 即使 VOUT 引腳在內(nèi)部連接，也要在較低的 PCB 層上使用寬多邊形平面將這些引腳連接在一起并連接到負載，從而減少傳導損耗和熱應力。
- 通過將反饋電阻器靠近 FB 引腳放置，使 FB 走線盡可能短。通過將電阻分壓器靠近 FB 引腳而不是靠近負載放置，降低輸出電壓反饋路徑的噪聲敏感度。FB 是電壓環(huán)路誤差放大器的輸入，并代表對噪聲敏感的高阻抗節(jié)點。將上部反饋電阻器布線到所需的輸出電壓調(diào)節(jié)點。
- 在模塊頂層正下方的 PCB 層上使用實心接地層。該平面可以充當噪聲屏蔽層，盡可能地減小與開關(guān)環(huán)路中的電流相關(guān)的磁場。將 AGND 引腳 6 和 11 直接連接到模塊下方的 PGND 引腳 19。
- 提供足夠大的 PCB 面積，以實現(xiàn)適當?shù)纳帷?/em>使用足夠的覆銅區(qū)實現(xiàn)與最大負載電流和環(huán)境溫度條件相稱的低熱阻抗。為 TPSM64406 提供足夠的散熱，以將結(jié)溫保持在 150°C 以下。對于滿額定負載運行，頂部接地層是一個重要的散熱區(qū)域。使用矩陣式散熱過孔將封裝的外露焊盤 (PGND) 連接到 PCB 接地層。如果 PCB 具有多個銅層，請將這些散熱過孔連接到內(nèi)層接地層。最好使用 2 盎司（不少于 1 盎司）的銅制作 PCB 頂層和底層。