ZHCSU82B December 2023 – October 2025 TPSM64404 , TPSM64406 , TPSM64406E
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 電源 | ||||||
| IQ(VIN-ST5p0) | VIN 靜態(tài)電流，單路輸出模式 | 非開關(guān)，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 5V + 10%，TJ = 125℃ | 25 | 45 | μA | |
| IQ(VIN-ST3p3) | VIN 靜態(tài)電流，單路輸出模式 | 非開關(guān)，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 3.3V + 10%，TJ = 125℃ | 15 | 35 | μA | |
| IQ(VIN-DT3p3) | VIN 靜態(tài)電流，雙路輸出模式，BIAS = 3.3V | 非開關(guān)，VEN = 2V，VBIAS = VVOSNS1 = 3.3V + 10%，VVOSNS2 = 5V + 10%，TJ = 125℃ | 9 | 18 | μA | |
| ISD(VIN) | VIN 關(guān)斷電源電流 | VEN = 0V | 1 | 8 | μA | |
| UVLO | ||||||
| VINUVLO(R) | VIN UVLO 上升閾值 | VIN 上升 | 3.5 | 3.80 | V | |
| VINUVLO(F) | VIN UVLO 下降閾值 | VIN 下降 | 2.55 | 3 | V | |
| VINUVLO(H) | VIN UVLO 遲滯 | 0.735 | 0.95 | 1.25 | V | |
| ENABLE | ||||||
| VEN(R) | EN1/2 電壓上升閾值 | EN1/2 上升，啟用開關(guān) | 1.125 | 1.25 | 1.375 | V |
| VEN(F) | EN1/2 電壓下降閾值 | EN1/2 下降，禁用開關(guān) | 0.8 | 0.9 | 1.0 | V |
| VEN(H) | EN1/2 電壓遲滯 | 0.25 | 0.325 | 0.55 | V | |
| VEN(W) | EN1/2 電壓?jiǎn)拘验撝?/td> | 0.4 | V | |||
| IEN | EN1/2 引腳拉電流后 EN 上升閾值 | VEN1/2 = VIN = 13.5V | 0.6 | 400 | nA | |
| 內(nèi)部 LDO | ||||||
| VVCC | 內(nèi)部 LDO 輸出電壓 | VBIAS ≥ 3.4V，IVCC ≤ 100mA | 2.7 | 3.1 | 3.7 | V |
| IVCC | 內(nèi)部 LDO 短路電流限制 | VIN = 13.5V | 100 | 377 | 880 | mA |
| VVCC(UVLO-R) | 啟動(dòng)時(shí)的 VCC UVLO 上升閾值 | 3.3 | 3.5 | 3.75 | V | |
| VVCC(UVLO-F) | 關(guān)斷時(shí)的 VCC UVLO 下降閾值 | 2.3 | 2.5 | 2.7 | V | |
| 基準(zhǔn)電壓 | ||||||
| VFB1/2 | 可調(diào)輸出配置中的雙路輸出反饋電壓 | 788 | 800 | 812 | mV | |
| VFB1_so | 可調(diào)輸出配置中的單路輸出模式 FB 電壓 | 788 | 800 | 812 | mV | |
| IFB1/2(LKG) | 雙路輸出配置中的 FB 輸入漏電流 | VFB1/2 = 0.8V | 10 | 250 | nA | |
| IFB1_so(LKG) | 單路輸出配置中的 FB 輸入漏電流 | VFB = 0.8V | 2 | 250 | nA | |
| FBSel-5v0 | 固定 5.0V 設(shè)置的電壓閾值 | VCC-0.5 | V | |||
| FBSel-3v0 | 用于固定 3.3V 設(shè)置的電阻器 | 300 | ? | |||
| FBSel-ext | 用于選擇可調(diào)輸出電壓的外部 FB 分壓器選項(xiàng)的最小戴維南等效電阻。 | 4 | k? | |||
| 誤差放大器 | ||||||
| gm-S1 | EA 跨導(dǎo) - 單路輸出模式 | VFB1 = VCOMP | 625 | 888 | 1300 | μS |
| ICOMP(src) | EA 拉電流 - 單路輸出模式 | VCOMP = 1V，VFB1 = 0.4V | 92.5 | 200 | 400 | μA |
| ICOMP(sink) | EA 灌電流 - 單路輸出模式 | VCOMP = 1V，VFB1 = 1.2V | 94.5 | 200 | 500 | μA |
| 開關(guān)頻率 | ||||||
| fSW1(FCCM) | 開關(guān)頻率，F(xiàn)CCM 運(yùn)行 | RRT = 7.15kΩ 至 AGND | 1.9 | 2.1 | 2.3 | MHz |
| fSW2(FCCM) | 開關(guān)頻率，F(xiàn)CCM 運(yùn)行 | RRT = 39.2kΩ 至 AGND | 360 | 400 | 450 | kHz |
| fADJ(FCCM) | 可調(diào)開關(guān)頻率范圍 | RRT 電阻器，從 6.81kΩ 至 158kΩ 至 AGND | 0.1 | 2.2 | MHz | |
| fSS(int) | 展頻開關(guān)頻率范圍 | RRT = 7.15kΩ，RCONFIG= 73.2k? | 10% | |||
| 同步 | ||||||
| VIH(sync) | SYNCIN 高電平閾值 | 1.35 | 1.6 | V | ||
| VIL(sync) | SYNCIN 低電平閾值 | 0.65 | 0.95 | V | ||
| VOH(sync) | 同步輸出高電壓最小值 | 10mA 負(fù)載 | 1.6 | 2.6 | V | |
| VOL(sync) | 同步輸出低電壓最大值 | 10mA 負(fù)載 | 0.34 | 0.68 | V | |
| fSYNC-2p1 | 頻率同步范圍約為 2.1MHz | RRT = 7.15kΩ 至 AGND | 1.7 | 2.1 | 2.4 | MHz |
| fSYNC-0p4 | 頻率同步范圍約為 400kHz | RRT = 39.2kΩ 至 AGND | 320 | 400 | 480 | kHz |
| tSYNC(min) | 外部同步信號(hào)的最小脈沖寬度高于 VIH(sync) | 100 | ns | |||
| tSYNC(max) | 低外部同步信號(hào)的最小寬度低于 VIL(sync) | 100 | ns | |||
| tSYNC-SW(delay) | 從 SYNC 上升沿到 SW 上升沿的延遲 - 單路輸出模式 - 次級(jí) | 90 | 130 | ns | ||
| 啟動(dòng) | ||||||
| tSS(R) | 內(nèi)部固定軟啟動(dòng)時(shí)間 - 雙路輸出模式 | 從 VVOSNS1/2= 0%（第一個(gè) SW 脈沖）到 VVOSNS1/2 = 90% | 2.7 | 4.5 | 7 | ms |
| tSS_Lockout(R) | 如果輸出未處于穩(wěn)壓狀態(tài)，則從第一個(gè) SW1/2 脈沖到啟用 FPWM 模式的時(shí)間 - 雙路輸出模式 | 7 | 13 | 32 | ms | |
| ISS(R) | 軟啟動(dòng)充電電流 - 單路輸出模式 | VSS = 0V | 15 | 20 | 25 | μA |
| RSS(F) | 軟啟動(dòng)放電電阻 - 單路輸出模式 | 10 | 27 | Ω | ||
| tEN | EN1（單路輸出模式）或 EN1/EN2（以雙路輸出模式中先發(fā)生者為準(zhǔn)）高電平至開關(guān)延遲開始 | 687 | 900 | μs | ||
| 功率級(jí) | ||||||
| RDSON(HS) | 高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VBOOT-SW = 3.3V，IOUT = 1A | 37 | 75 | mΩ | |
| RDSON(LS) | 低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻 | VVCC = 3.3V，IOUT = 1A | 23.9 | 50 | mΩ | |
| tON(min) | 最小 ON 脈沖寬度 | VIN = 20V，IOUT = 2A | 40 | 62 | ns | |
| tON(max) | 最大 ON 脈沖寬度（雙路輸出，單路輸出初級(jí)） | RRT = 7.15kΩ | 5 | 8 | 12 | μs |
| tON(max) | 最大 ON 脈沖寬度（單路輸出次級(jí)） | RRT = 7.15kΩ | 16 | 25 | μs | |
| tOFF(min) | 最小 OFF 脈沖寬度 | VIN = 4V | 70 | 110 | ns | |
| 過流保護(hù) | ||||||
| IHS(OC1) | 高側(cè)峰值電流限值 TPSM64404 | 占空比接近 0% 時(shí) HS FET 上的峰值電流限值 | 4.76 | A | ||
| IHS(OC2) | 高側(cè)峰值電流限值 TPSM64406 | 占空比接近 0% 時(shí) HS FET 上的峰值電流限值 | 4.6 | 5.5 | 6.8 | A |
| ILS(OC1) | 低側(cè)谷值電流限值 TPSM64404 | LS FET 上的谷值電流限值 | 3.2 | A | ||
| ILS(OC2) | 低側(cè)谷值電流限值 TPSM64406 | LS FET 上的谷值電流限值 | 2.8 | 3.7 | 4.5 | A |
| ILS2(NOC) | 低側(cè)負(fù)電流限值 TPSM64406 | LS FET 上的灌電流限值 | 2 | 2.8 | 3.6 | A |
| ILPEAK1(min-0) | 最小占空比下的最小峰值電感器電流 TPSM64404 | VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns | 0.71 | A | ||
| ILPEAK1(min-100) | 最大占空比下的最小峰值電感器電流 TPSM64404 | VVCC = 3.3V，tpulse ≥ 1μs | 0.19 | A | ||
| ILPEAK2(min-0) | 最小占空比下的最小峰值電感器電流 TPSM64406 | VVCC = 3.3V，tpulse ≤ 100ns | 0.5 | 0.79 | 1.1 | A |
| ILPEAK2(min-100) | 最大占空比下的最小峰值電感器電流 TPSM64406 | VVCC = 3.3V，tpulse ≥ 1μs | 0.25 | 0.3 | 0.35 | A |
| VHiccup-FB | 引腳上的斷續(xù)閾值 - 雙路輸出模式，可調(diào)輸出選項(xiàng) | HS FET 導(dǎo)通時(shí)間 > 165ns | 0.25 | 0.3 | 0.35 | V |
| tHiccup-1 | 進(jìn)入斷續(xù)前的等待時(shí)間 - 單路和雙路輸出模式 | 126 | 128 | 130 | 電流限制周期 | |
| tHiccup-2 | 重啟之前的斷續(xù)時(shí)間 | 50 | 88 | ms | ||
| 電源正常 | ||||||
| VPGTH-1 | 電源正常閾值 (PG1/2) | PGOOD 低電平，VVOSNS1/2 上升 | 93% | 95% | 97% | |
| VPGTH-2 | 電源正常閾值 (PG1/2) | PGOOD 高電平，VVOSNS1/2 下降 | 92% | 94% | 96% | |
| VPGTH-3 | 電源正常閾值 (PG1/2) | PGOOD 高電平，VVOSNS1/2 上升 | 105% | 107% | 110% | |
| VPGTH-4 | 電源正常閾值 (PG1/2) | PGOOD 低電平，VVOSNS1/2 下降 | 104% | 106% | 109% | |
| tPGOOD(R) | 啟動(dòng)期間 PG1/2 從 VVOSNS1/2 有效到 PGOOD 高電平的延遲 | VVOSNS1/2 = 3.3V | 1.5 | 2.1 | 3 | ms |
| tPGOOD(F) | 從 VVOSNS1/2 無效到 PGOOD 低電平的 PG1/2 延遲 | VVOSNS1/2 = 3.3V | 25 | 40 | 70 | μs |
| IPG(LKG) | 開漏輸出為高電平時(shí)的 PG1/2 引腳漏電流 | VPG = 3.3V | 0.075 | μA | ||
| VPG-D(LOW) | 兩個(gè)通道的 PG 引腳輸出低電平電壓 | IPG = 1mA，VEN = 0V。 | 400 | mV | ||
| RPG-1 | 下拉 MOSFET 電阻 | IPG = 1mA，VEN = 3.3V。 | 30 | 90 | ? | |
| VIN(PG_VALID) | 有效 PG 輸出的最小 VIN | PG 上的上拉電阻 - RPG = 10k?，PG 上的電壓上拉 - VPULLUP_PG= 3V，VPG-D(LOW)= 0.4V | 0.45 | 1.2 | V | |
| 熱關(guān)斷 | ||||||
| TJ(SD) | 熱關(guān)斷閾值 (1) | 溫度上升 | 160 | 170 | 180 | °C |
| TJ(HYS) | 熱關(guān)斷遲滯 (1) | 10 | °C | |||