ZHCSTR8 June 2025 TPSI2260-Q1
ADVANCE INFORMATION
TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態繼電器，專為高電壓汽車和工業應用而設計。TI 具有高可靠性的電容隔離技術和背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側電源。
正如功能方框圖 所示，初級側包含一個驅動器，為次級側的每個內部 MOSFET 提供電力和使能邏輯信息。板載振蕩器控制驅動器工作的頻率，展頻調制 (SSM) 控制器改變驅動器頻率以提高系統 EMI 性能。當使能引腳變為高電平，并且 VDD 電壓高于 UVLO 閾值時，振蕩器啟動并且驅動器跨隔離柵輸送電力和邏輯高電平。當使能引腳變為低電平，或者 VDD 電壓降至 UVLO 閾值以下時，驅動器會被禁用。閑置時會向次級側發送邏輯低電平，并且 MOSFET 會被禁用。
次級側的每個 MOSFET 都有專用的全橋整流器來形成本地電源和接收器。接收器通過電容式隔離柵確定從初級側傳送的邏輯狀態，并使用壓擺率受控的驅動器驅動 MOSFET 的柵極。每個接收器對跨隔離柵接收的信號進行信號調節，以便過濾共模干擾，并確保根據初級側驅動器和系統發送的邏輯來控制 MOSFET。
TPSI2260-Q1 不僅具有雪崩性能穩健的 MOSFET，而且其采用的 11 引腳 DWQ 封裝上的加寬引腳易于散熱，因此可通過電介質耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部保護元件即可承受高達 5mA 的直流快速充電器浪涌電流。TPSI2260T-Q1 版本的器件中包含的熱雪崩保護 (TAP) 特性通過監測結溫并使 MOSFET 將溫度保持在安全工作范圍內，進一步提高了雪崩電流能力。