TPSI2260-Q1
- 符合汽車應(yīng)用要求
- AEC-Q100 等級(jí) 1：–40°C 至 125°C，TA
- 低 EMI：
- 符合 CISPR25 5 類性能要求，無(wú)需額外組件
- 集成雪崩額定 MOSFET
- 針對(duì)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (Hi-Pot) 可靠性進(jìn)行設(shè)計(jì)和認(rèn)證
- TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脈沖）
- TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脈沖）
- 600V 關(guān)斷電壓
- RON = 65Ω (TJ = 25°C)
- 500V 時(shí)的 IOFF = 1.22μA (TJ = 105°C)
- 針對(duì)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (Hi-Pot) 可靠性進(jìn)行設(shè)計(jì)和認(rèn)證
- 低初級(jí)側(cè)電源電流
- 5mA 導(dǎo)通狀態(tài)電流
- 3.5μA 關(guān)斷狀態(tài)電流 (TJ = 25°C)
- 功能安全型
- 可幫助進(jìn)行 ISO 26262 和 IEC 61508 輔助設(shè)計(jì)的文檔
- 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
- 在 1500VRMS/2120DC 工作電壓下預(yù)計(jì)壽命超過 30 年
- 增強(qiáng)隔離額定值 VISO 高達(dá) 5000VRMS
- SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝，具有寬引腳，可提高熱性能
- 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級(jí)-次級(jí)）
- 爬電距離和間隙≥ 6mm（開關(guān)端子之間）
- 安全相關(guān)認(rèn)證
- （計(jì)劃）DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- （計(jì)劃）UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSI2260-Q1 與 TI 具有高可靠性的增強(qiáng)電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對(duì)背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無(wú)需次級(jí)側(cè)電源。TPSI2260-Q1 可提高系統(tǒng)可靠性，因?yàn)?TI 的電容隔離技術(shù)不會(huì)受到機(jī)械繼電器和光繼電器元件中常見的機(jī)械損耗或光退化故障模式的影響。
該器件的初級(jí)側(cè)僅由 5mA 的輸入電流供電，并集成了一個(gè)失效防護(hù) EN 引腳，可防止對(duì) VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 4.5V 至 20V 的系統(tǒng)電源，并且器件的 EN 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。在其他應(yīng)用中，VDD 和 EN 引腳可以直接全由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。
次級(jí)側(cè)包含背對(duì)背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關(guān)斷電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級(jí)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (HiPot)，并且無(wú)需任何外部元件即可承受高達(dá) 1mA（TPSI2260T-Q1 為 3mA）的直流快速充電器浪涌電流。
技術(shù)文檔
| 類型 | 標(biāo)題 | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPSI2260-Q1 具有雪崩保護(hù)功能的 600V、50mA 汽車類增強(qiáng)型固態(tài)繼電器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2026年 1月 6日 |
| 功能安全信息 | TPSI2260-Q1, TPSI2260C-Q1, and TPSI2260T-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) | PDF | HTML | 2026年 1月 26日 | |||
| 證書 | TPSI2260Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 1月 24日 |
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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TPSI2260Q1EVM — TPSI2260-Q1 評(píng)估模塊
TPSI2260Q1EVM 是包含多個(gè)測(cè)試點(diǎn)和跳線的硬件評(píng)估模塊 (EVM)，用于全面評(píng)估器件的性能和功能。該評(píng)估模塊包含測(cè)試和評(píng)估 TPSI2260-Q1 所需的一切資源，之后就可以集成到更大型應(yīng)用的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。TPSI2260Q1EVM 可單獨(dú)使用，也可選擇與外部微控制器配對(duì)使用，用于驅(qū)動(dòng)器件的使能信號(hào)。使用該 EVM 可以評(píng)估諸如電介質(zhì)耐壓測(cè)試（又稱高壓 [HiPot] 測(cè)試）和直流快充浪涌電流等應(yīng)用需求，且無(wú)需外部保護(hù)元件。此 EVM 搭載了采用 SOIC 封裝的 TPSI2260-Q1。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWQ) | 11 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。