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TPSI2260-Q1

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具有增強隔離和雪崩防護功能的汽車級 600V、50mA 隔離開關

產品詳情

FET Internal Number of channels 1 Switching voltage (max) (V) 600 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
FET Internal Number of channels 1 Switching voltage (max) (V) 600 Supply voltage (min) (V) 4.5 Supply voltage (max) (V) 20 Rating Automotive Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Imax (mA) 50 Ron (typ) (Ω) 70 TI functional safety category Functional Safety-Capable Operating temperature range (°C) -40 to 125 OFF-state leakage current (μA) 1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000
SOIC (DWQ) 11 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 符合汽車應用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 類性能要求，無需額外組件
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對電介質耐壓測試 (Hi-Pot) 可靠性進行設計和認證
      • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脈沖）
      • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脈沖）
    • 600V 關斷電壓
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • 500V 時的 IOFF = 1.22μA (TJ = 105°C)
  • 低初級側電源電流
    • 9mA 導通狀態電流
  • 穩健可靠的隔離柵：
    • 在 1000VRMS / 1500VDC 工作電壓下預計壽命超過 38 年
    • 增強隔離額定值 VISO 高達 5000VRMS
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙≥ 6mm（開關端子之間）
  • 安全相關認證
    • （計劃）DIN VDE V 0884-17:2021-10
    • （計劃）UL 1577 組件認證計劃
  • 符合汽車應用要求
    • AEC-Q100 等級 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 類性能要求，無需額外組件
  • 集成雪崩額定 MOSFET
    • 針對電介質耐壓測試 (Hi-Pot) 可靠性進行設計和認證
      • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脈沖）
      • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脈沖）
    • 600V 關斷電壓
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • 500V 時的 IOFF = 1.22μA (TJ = 105°C)
  • 低初級側電源電流
    • 9mA 導通狀態電流
  • 穩健可靠的隔離柵：
    • 在 1000VRMS / 1500VDC 工作電壓下預計壽命超過 38 年
    • 增強隔離額定值 VISO 高達 5000VRMS
  • SOIC 11 引腳 (DWQ) 封裝，具有寬引腳，可提高熱性能
    • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
    • 爬電距離和間隙≥ 6mm（開關端子之間）
  • 安全相關認證
    • （計劃）DIN VDE V 0884-17:2021-10
    • （計劃）UL 1577 組件認證計劃

TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態繼電器，專為高電壓汽車和工業應用而設計。TPSI2260-Q1 與 TI 具有高可靠性的增強電容隔離技術和內部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側電源。TPSI2260-Q1 可提高系統可靠性，因為 TI 的電容隔離技術不會受到機械繼電器和光繼電器元件中常見的機械損耗或光退化故障模式的影響。

該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了一個失效防護 EN 引腳，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數應用中，器件的 VDD 引腳應連接到 4.5V 至 20V 的系統電源，并且器件的 EN 引腳應由邏輯低電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅動。

次級側包含背對背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關斷電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩穩健性和熱敏感封裝設計使其能夠可靠地支持系統級電介質耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達 1mA 的直流快速充電器浪涌電流。

TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態繼電器，專為高電壓汽車和工業應用而設計。TPSI2260-Q1 與 TI 具有高可靠性的增強電容隔離技術和內部背對背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無需次級側電源。TPSI2260-Q1 可提高系統可靠性，因為 TI 的電容隔離技術不會受到機械繼電器和光繼電器元件中常見的機械損耗或光退化故障模式的影響。

該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了一個失效防護 EN 引腳，可防止對 VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數應用中，器件的 VDD 引腳應連接到 4.5V 至 20V 的系統電源，并且器件的 EN 引腳應由邏輯低電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅動。

次級側包含背對背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關斷電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 的雪崩穩健性和熱敏感封裝設計使其能夠可靠地支持系統級電介質耐壓測試 (HiPot)，并且無需任何外部元件即可承受高達 1mA 的直流快速充電器浪涌電流。
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* 數據表 TPSI2260-Q1 具有雪崩保護功能的 600V、50mA 汽車類增強型固態繼電器 數據表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2023年 11月 7日
EVM 用戶指南 TPSI2260-Q1 評估模塊 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 10月 23日
證書 TPSI2260Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 1月 24日

設計和開發

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評估板

TPSI2260Q1EVM — TPSI2260-Q1 評估模塊

TPSI2260Q1EVM 是包含多個測試點和跳線的硬件評估模塊 (EVM)，用于全面評估器件的性能和功能。該評估模塊包含測試和評估 TPSI2260-Q1 所需的一切資源，之后就可以集成到更大型應用的電源系統設計中。TPSI2260Q1EVM 可單獨使用，也可選擇與外部微控制器配對使用，用于驅動器件的使能信號。使用該 EVM 可以評估諸如電介質耐壓測試（又稱高壓 [HiPot] 測試）和直流快充浪涌電流等應用需求，且無需外部保護元件。此 EVM 搭載了采用 SOIC 封裝的 TPSI2260-Q1。

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PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

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  • 器件標識
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  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
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  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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