ZHCSRP0F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
TI 已經測試了各種航天級電容器并測量了 TPS7H1111 系統的控制環路響應。測試清晰地展示出不同電容器的影響,但在所有情況下,在整個電流范圍內都表現出穩定性。表 9-4 中顯示了測得的增益裕度 (GM)(以分貝為單位)和相位裕度 (PM)(以度為單位)。這些測量結果是在室溫和所示的電流水平下得出,且 VIN = 2.5V,VOUT = 1.8V,VBIAS = 5V。圖 6-20 至圖 6-27 顯示了波特圖。
| 制造商 | 電容 | 器件型號 | IOUT = 0A | IOUT = 1A | IOUT = 1.5A | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PM | GM | PM | GM | PM | GM | |||
| Kemet(基美) | 1x220μF | T540D227K010AH6710 | 71 | 30 | 98 | 14 | 91 | 14 |
| Kemet(基美) | 1x220μF + 0.1μF(1) | T540D227K010AH6710 + C0603K104K3RML | 72 | 19 | 94 | 9 | 66 | 8 |
| AVX | 2x100μF | TBME107K020LBLC9045 | 83 | 29 | 98 | 19 | 99 | 19 |
| AVX | 2x100μF + 0.1μF | TBME107K020LBLC9045 + 300904102104KA | 61 | 27 | 98 | 13 | 99 | 12 |
以上報告的值適用于陶瓷封裝 TPS7H1111-SP。塑料封裝(TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP)具有相似的穩定性響應,但增益裕度要低大約兩分貝。另請注意,在高電流和低溫條件下,增益裕度會降低。在低電流和高溫條件下,相位裕度會降低。