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ZHCSRP0F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|28

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

PWP|28
- PPTD290A

訂購信息

9.4 TID 效應

電氣特性中列出的大多數規格都使用自動測試設備 (ATE) 進行測試。因此，可在輻照前和輻照后條件下輕松測試這些規格。此外，這些規格通常是 RLAT（輻射批次驗收測試）流的一部分。但是，某些規格很難在 ATE 上進行測量（例如，由于具有高增益或對寄生效應敏感），因此僅在基準特性描述期間進行測量。通常，這些規格不是在輻照后測量。

PSRR、噪聲和穩定性是使用 ATE 時未涵蓋的關鍵規格，因此不屬于傳統 RLAT 流。為了提供這些關鍵規格的額外信息，對三個 EVM 執行了一次性特性描述。在 100krad(Si) 的高劑量率 (HDR) 下偏置和暴露這三個 EVM。

所有 PSRR、噪聲和穩定性測量在輻照條件下結果良好。概括如下：

在 100Hz 至 1kHz 范圍內，在承受 TID 后測得的 PSRR 略有降低。器件 1 顯示在承受 TID 后大約降低 10dB；但由于難以測量如此高的增益，因此認為是由與設置相關的問題所致。在任何情況下，PSRR 在此范圍內仍然極高 (> 95dB)。
在 100Hz 以下和 1kHz 以上，在承受 TID 后測得的 PSRR 略有降低。
在 10Hz 至 10kHz 范圍內，測得的噪聲逐漸升高。
在 10Hz 以下和 100kHz 以上，噪聲的測量結果大致相同。
承受 TID 之后，計算出的 RMS 噪聲平均高出 120nV_RMS。
平均相位裕度幅度漂移約為 7°。對于所有之前和之后的測量，相位裕度都保持高位。
平均增益裕度幅度漂移約為 2dB。這種變化被認為很小，并且可能在測量誤差范圍內。

完整數據如下。除非另有說明，否則 EVM 條件為 V_IN = 2.5V，V_OUT = 1.8V，V_BIAS = 5V，C_OUT = 2x100μF（請參閱表 9-4），C_SS = 4.7μF，R_REF = 12.0k?，R_BIAS = 10?，C_BIAS = 4.7μF，T_A = 25°C，10Hz 至 100kHz 帶寬下報告的積分噪聲。