ZHCSKA4C December 2008 – March 2025 TPS737-Q1
PRODUCTION DATA
3 說明
TPS737-Q1 線性低壓降 (LDO) 穩壓器在電壓跟隨器配置中使用 n 型場效應晶體管 (NMOS) 作為導通晶體管。該拓撲對輸出電容器值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，支持實現多種負載配置。即使使用 1μF 的小型陶瓷輸出電容器，也能實現出色的負載瞬態響應。NMOS 拓撲結構也可實現超低壓降。
TPS737-Q1 采用先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝。該工藝可實現高精度，同時提供超低壓降電壓和低接地引腳電流。未啟用時，電流消耗低于 20nA，非常適合于便攜式應用。該器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
(1) 如需更多信息，請參閱機械、封裝和可訂購信息。
(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標稱值，并包括引腳（如適用）。
典型應用電路