ZHCSKA4C December 2008 – March 2025 TPS737-Q1
PRODUCTION DATA
TPS737-Q1 使用一個 NMOS 導通晶體管來實現極低壓降。當 (VIN – VOUT) 小于壓降電壓 (VDO) 時，NMOS 導通晶體管處于線性工作區域。在這種情況下，輸入到輸出電阻是 NMOS 導通晶體管的 RDS(on)。
對于負載電流的較大階躍變化，TPS737-Q1 要求一個從 VIN 到 VOUT 的更大壓降以避免降低瞬態響應的性能。這個瞬變壓降區域的邊界大約為 DC 輸出的兩倍。在這個邊界之上的 VIN – VOUT 的值提供了正常瞬態響應。
在瞬態壓降區域內運行會增加恢復時間。從一個負載瞬態中恢復所需的時間是負載電流速率變化幅度的函數。該時間還由負載電流的變化率和可用余量（VIN 至 VOUT 壓降）決定。在最壞的情況下，TPS737-Q1 可能需要幾百微秒才能返回到指定的調節精度。最壞情況由接近直流壓降電平的滿標度瞬時負載變化 (VIN – VOUT) 決定。