TPS737-Q1
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 標準：
- 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4A
- 與 1μF 或更大的陶瓷輸出電容器一起工作時保持穩定
- 輸入電壓范圍：2.2V 至 5.5V
- 超低壓降電壓：電壓為 1A 時為 130mV（典型值）
- 即使使用僅為 1μF 的輸出電容器，也能實現出色的負載瞬態響應
- NMOS 拓撲可提供低反向漏電流
- 初始精度為 1%
- 整個線路、負載和溫度范圍內的精度達 3%
- 關斷模式下靜態電流小于 20nA（典型）
- 通過熱關斷和電流限制實現故障保護
- 提供了多個輸出電壓版本
TPS737-Q1 線性低壓降 (LDO) 穩壓器在電壓跟隨器配置中使用 n 型場效應晶體管 (NMOS) 作為導通晶體管。該拓撲對輸出電容器值和等效串聯電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，支持實現多種負載配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷輸出電容器，也能實現出色的負載瞬態響應。NMOS 拓撲結構也可實現超低壓降。
TPS737-Q1 采用先進的雙極互補金屬氧化物半導體 (BiCMOS) 工藝。該工藝可實現高精度，同時提供超低壓降電壓和低接地引腳電流。未啟用時，電流消耗低于 20nA，非常適合于便攜式應用。該器件受到熱關斷和折返電流限制的保護。
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | TPS737-Q1 具有反向電流保護功能的汽車 1A 低壓降穩壓器 數據表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025年 4月 22日 |
| 應用手冊 | LDO 噪聲揭秘 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020年 9月 16日 | |
| 應用手冊 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017年 8月 9日 | |||
| 應用手冊 | 簡化的 LDO PSRR 測量 | 最新英語版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2010年 7月 28日 |
設計和開發
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參考設計
TIDEP-01012 — 采用級聯毫米波傳感器的成像雷達參考設計
級聯開發套件具有兩個主要用例：
- 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 作為采集卡，并通過 mmWave Studio 工具完整評估 AWR2243 四芯片級聯性能，請查閱 TIDEP-01012 設計指南。
- 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 開發雷達實時軟件應用，請閱讀 TIDEP-01017 設計指南。
此參考設計使用了級聯成像雷達射頻系統。級聯雷達設備可支持遠距離雷達 (LRR) 波束形成應用，以及具有增強型角分辨率性能的中距離雷達 (MRR) 和短距離雷達 (SRR) 多輸入多輸出 (MIMO) 應用。
AWR2243 級聯雷達射頻開發套件用于通過多器件、波束形成配置估算和跟蹤物體在 (...)
參考設計
TIDM-TM4C129SDRAMNVM — 為高性能微控制器連接 NVM（在 SDRAM 上下載和執行應用程序）
此參考設計展示了如何實施非易失性存儲器和 SDRAM 并通過接口將其連接至 TM4C 產品系列中的高性能微控制器 TM4C1294NCPDT。為了實現此設計，其中采用了微控制器的 EPI 接口在 60MHz 下連接 256Mbit SDRAM，而采用 QSSI 接口在 60MHz 下連接非易失性存儲器（如 SD 卡和四串行閃存），因此可讓開發人員在 TM4C1294 微控制器的最大內部存儲器基礎上擴展代碼和數據空間。
參考設計
TIDA-01512 — NXP QorIQ LS2085A/88A 處理器的 PMBus 穩壓器參考設計
TIDA-01512 采用 TPS53681 多相控制器和 CSD95490Q5MC 智能功率級，可實現適合為 NXP QorIQ 通信處理器供電的高性能設計。
控制器的雙路輸出分別面向具有六相設計的 60-ATDC、 1.0V 內核軌和 30-ATDC、1.2V 輔助軌。使用智能功率級和集成 PMBus? 功能，可以輕松設置輸出電壓，遙測關鍵設計參數和進行補償調整。
在驗證過程中，NXP 參考板上的輸出電容降低 50% 以上。
參考設計
TIDM-TM4C129POEAUDIO — 采用以太網供電 (PoE) 的音頻通信參考設計
本設計使用德州儀器 (TI) 的高性能 TM4C129x 微控制器 (MCU)，集成以太網 PHY，通過網絡供電（PoE 解決方案）而非單獨的外部電源，有效地采集、交換和播放音頻。該應用使用 TivaWare 圖形庫實現帶觸摸控制的用戶界面，使用 lwIP 通過網絡交換數據，使用 Opus 音頻編解碼器壓縮音頻數據以提高帶寬利用率。
參考設計
TIDM-TM4C129POE — TM4C129POE 互聯物聯網適用的以太網供電 (PoE) 參考設計
此設計將 Texas Instruments PoE 解決方案與 TM4C129x 高性能微控制器集成，使客戶能夠開發用于物聯網的小型電路板應用。能夠通過現有網絡電纜獲取電力，從而智能地收集、處理數據并與云交換數據，從而增加終端應用的價值。
參考設計
TIDM-TM4CFLASHSRAM — 用于高性能 MCU 上的代碼下載與執行的并發并行 XIP 閃存和 SRAM 設計
此參考設計展示了如何實現異步并列式閃存和 SRAM 存儲器并將其連接到性能微控制器 TM4C129。通過在主機總線 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于連接 1Gbit-8Mbit 范圍的 16 位并列式閃存和 16Mbit 16 位并行式 SRAM 的多種芯片選擇來構建此實施，開發人員便可將代碼和數據空間擴展到 TM4C1294 微控制器最大內部存儲器的范圍之外。
參考設計
TIDM-TM4C129XS2E — 基于 RTOS 和高性能 MCU 的可配置串口轉以太網轉換器參考設計
傳統產品可能只包含一個串行端口。由于此類終端設備 (EE) 無法添加到共享網絡并遠距離訪問（例如從遠程控制站訪問），因此其訪問正日益成為一項挑戰。串行轉以太網 (S2E) 轉換器提供了一種簡單的方法來克服此類 EE 帶來的挑戰。此參考設計利用基于以太網的 TM4C129x（以前稱為 Tiva）微控制器來實現 S2E 轉換器，從而加快上市時間并節省成本。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
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包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。