ZHCSYR2D April 2006 – August 2025 TPS73601-EP , TPS73615-EP , TPS73618-EP , TPS73625-EP , TPS73630-EP , TPS73632-EP , TPS73633-EP
PRODUCTION DATA
當(dāng)導(dǎo)通器件的柵極被拉低時(shí)，TPS736xx-EP 的 NMOS 導(dǎo)通元件可提供固有保護(hù)，防止電流從穩(wěn)壓器輸出端流向輸入端。為了確保所有電荷從導(dǎo)通元件的柵極上移除，在移除輸入電壓前，必須將 EN 驅(qū)動(dòng)至低電平。如果這沒有被完成，由于柵極上存儲(chǔ)的電荷，導(dǎo)通元件也許被保持在打開狀態(tài)。
將 EN 驅(qū)動(dòng)至低電平時(shí)，無需偏置電壓即可在任一引腳上實(shí)現(xiàn)反向電路阻斷。請(qǐng)注意，反向電流被定義為由于應(yīng)用到 OUT 引腳上的電壓而從 IN 引腳中流出的電流。由于 80k? 內(nèi)部電阻分壓器接地，將有一個(gè)額外的電流流入 OUT 引腳（請(qǐng)見圖 6-1和圖 6-2）。
對(duì)于 TPS73601-EP，當(dāng) VFB 高于 VIN 超過 1V 時(shí)，可能會(huì)發(fā)生反向電流。