ZHCSI09S June 2010 – August 2018 TPS65911
PRODUCTION DATA.
Table 8-1 列出了本文檔中使用的首字母縮寫詞和縮略語(yǔ)。
| 首字母縮寫詞或簡(jiǎn)稱 | 定義 |
|---|---|
| DDR | 雙倍數(shù)據(jù)速率(存儲(chǔ)器) |
| ES | 工程樣品 |
| ESD | 靜電放電 |
| FET | 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| EPC | 嵌入式電源控制器 |
| FSM | 有限狀態(tài)機(jī) |
| GND | 接地 |
| GPIO | 通用 I/O |
| HBM | 人體放電模式 |
| HD | 熱模 |
| HS-I2C | 高速 I2C |
| I2C | 內(nèi)部集成電路 |
| IC | 集成電路 |
| ID | 標(biāo)識(shí) |
| IDDQ | 靜態(tài)電源電流 |
| IEEE | 電氣電子工程師協(xié)會(huì) |
| IR | 指令寄存器 |
| I/O | 輸入/輸出 |
| JEDEC | 聯(lián)合電子器件工程設(shè)計(jì)委員會(huì) |
| JTAG | 聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)組 |
| LBC7 | Lin Bi-CMOS 7 (360nm) |
| LDO | 低壓降線性穩(wěn)壓器 |
| LP | 低功耗應(yīng)用模式 |
| LSB | 最低有效位 |
| MMC | 多媒體卡 |
| MOSFET | 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| NVM | 非易失性內(nèi)存 |
| OD | 開漏 |
| OMAP™ | 開放式多媒體應(yīng)用平臺(tái)™ |
| RTC | 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 |
| SMPS | 開關(guān)模式電源 |
| SPI | 串行外設(shè)接口 |
| POR | 加電復(fù)位 |