ZHCSL06E February 2008 – September 2025 TPS51200
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 灌電流和拉電流穩(wěn)壓器（VO 引腳）
- 6.3.2 基準(zhǔn)輸入（REFIN 引腳）
- 6.3.3 基準(zhǔn)輸出（REFOUT 引腳）
- 6.3.4 軟啟動(dòng)序列
- 6.3.5 使能控制（EN 引腳）
- 6.3.6 電源正常功能（PGOOD 引腳）
- 6.3.7 電流保護(hù)（VO 引腳）
- 6.3.8 UVLO 保護(hù)（VIN 引腳）
- 6.3.9 熱關(guān)斷
- 6.3.10 跟蹤啟動(dòng)和關(guān)閉
- 6.3.11 VTT DIMM 應(yīng)用的輸出容差注意事項(xiàng)
- 6.3.12 DDR2 應(yīng)用的 REFOUT (VREF) 考慮因素
- 6.4 器件功能模式
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購信息
6.3.12 DDR2 應(yīng)用的 REFOUT (VREF) 考慮因素
在 TPS51200 跟蹤啟動(dòng)期間，REFIN 電壓通過分壓器跟隨 VDDQ 電源軌的上升，一旦 REFIN 電壓大于 0.39V，REFOUT (VREF) 就跟隨 REFIN。當(dāng) REFIN 電壓低于 0.39V 時(shí)，VREF 為 0V。
JEDEC DDR2 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn) (JESD79-2E) 規(guī)定，VREF 必須在啟動(dòng)期間在 ±0.3V 精度內(nèi)跟蹤 VDDQ/2。要讓 TPS51200
器件符合 JEDEC DDR2 規(guī)范，可使用電阻分壓器向 DIMM 提供 VREF 信號。電阻分壓器分壓比為 0.5，以確保 VREF 電壓等于 VDDQ/2。
圖 6-5 電阻分壓器電路選擇電阻值時(shí)，請考慮 DIMM VREF 引腳漏電流對基準(zhǔn)電壓的影響。根據(jù)方程式 4 來計(jì)算電阻值。
其中
- RREF 為電阻值
- ?VREF 是 VREF 直流變化要求
- IREF 是來自 DIMM 的最大總計(jì) VREF 漏電流
以 Micron 的 MT47H64M16 DDR2 SDRAM 元件為例。MT47H64M16 數(shù)據(jù)表顯示，每個(gè) DIMM 的最大 VREF 漏電流為 ±2μA，并且 VREF(DC) 變化必須在 VDDQ 的 ±1% 范圍內(nèi)。在此 DDR2 應(yīng)用中，VDDQ 電壓為 1.8V。假設(shè)一個(gè) TPS51200 器件需要為 4 個(gè) DIMM 供電，則最大 VREF 總漏電流為 ±8μA。根據(jù)計(jì)算結(jié)果，電阻值應(yīng)低于 4.5kΩ。為了確保有足夠的裕度，建議使用的電阻值為 100Ω。使用兩個(gè) 100Ω 電阻器時(shí)，最大 VREF 變化為 0.4mV，每個(gè)電阻器上的功率損耗為 8.1mW。