ZHCSL06E February 2008 – September 2025 TPS51200
PRODUCTION DATA
在 TPS51200 跟蹤啟動(dòng)期間,REFIN 電壓通過分壓器跟隨 VDDQ 電源軌的上升,一旦 REFIN 電壓大于 0.39V,REFOUT (VREF) 就跟隨 REFIN。當(dāng) REFIN 電壓低于 0.39V 時(shí),VREF 為 0V。
JEDEC DDR2 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn) (JESD79-2E) 規(guī)定,VREF 必須在啟動(dòng)期間在 ±0.3V 精度內(nèi)跟蹤 VDDQ/2。要讓 TPS51200
器件符合 JEDEC DDR2 規(guī)范,可使用電阻分壓器向 DIMM 提供 VREF 信號。電阻分壓器分壓比為 0.5,以確保 VREF 電壓等于 VDDQ/2。
圖 6-5 電阻分壓器電路選擇電阻值時(shí),請考慮 DIMM VREF 引腳漏電流對基準(zhǔn)電壓的影響。根據(jù)方程式 4 來計(jì)算電阻值。

其中
以 Micron 的 MT47H64M16 DDR2 SDRAM 元件為例。MT47H64M16 數(shù)據(jù)表顯示,每個(gè) DIMM 的最大 VREF 漏電流為 ±2μA,并且 VREF(DC) 變化必須在 VDDQ 的 ±1% 范圍內(nèi)。在此 DDR2 應(yīng)用中,VDDQ 電壓為 1.8V。假設(shè)一個(gè) TPS51200 器件需要為 4 個(gè) DIMM 供電,則最大 VREF 總漏電流為 ±8μA。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,電阻值應(yīng)低于 4.5kΩ。為了確保有足夠的裕度,建議使用的電阻值為 100Ω。使用兩個(gè) 100Ω 電阻器時(shí),最大 VREF 變化為 0.4mV,每個(gè)電阻器上的功率損耗為 8.1mW。