ZHCSC71F March 2014 – July 2025 TPS25200
PRODUCTION DATA
8.2.2.2 輸入和輸出電容
輸入和輸出電容提升了器件的性能；必須針對特定的應用對實際電容進行優化。對于所有應用，為了實現本地噪聲去耦，建議在 IN 和 GND 之間盡可能靠近器件的位置上安裝一個 0.1μF 或更大的陶瓷旁路電容器。
當 VIN 斜升超過 7.6V 時，VOUT 跟隨 VIN，直到 TPS25200在 t(OVLO_off_delay) 之后關斷內部 MOSFET。t(OVLO_off_delay) 在很大程度上取決于 VIN 斜升速率，因此 VOUT 會遇到某個峰值電壓。增大輸出電容可以降低輸出峰值電壓，如 圖 8-3 所示。
圖 8-3 VOUT 峰值電壓與 COUT 間的關系（VIN 以 1V/μs 斜升速率從 5V 階躍至 15V）