ZHCSC71F March 2014 – July 2025 TPS25200
PRODUCTION DATA
內部 N 溝道 MOSFET 的低導通電阻允許大電流通過小型表面貼裝封裝。估算功率耗散和結溫是一種良好的設計實踐。在以下分析中，根據封裝中的功率耗散計算結溫的近似值。但是，需要注意的是，熱分析在很大程度上取決于其他系統級因素。此類因素包括氣流、電路板布局布線、覆銅厚度和表面積，以及與其他功率耗散器件的接近程度。良好的熱設計實踐除了涉及單個元件分析外，還必須考慮所有系統級因素。從確定與輸入電壓和運行溫度相關的 N 通道 MOSFET 的 rDS(on)開始。開始估算時，使用感興趣的最高運行環境溫度并從典型特征圖中讀取 rDS（導通）值。當 VIN 低于 V(OVC) 時，TPS2500 是一種傳統的電源開關。使用該值，功率耗散可以用 方程式 8 來計算。
當 VIN 超過 V(OVC) 但低于 V(OVLO) 時，TPS25200 將輸出鉗位到固定的 V(OVC)，功率耗散可使用 方程式 9 來計算。
其中
此步驟用來計算 N 溝道 MOSFET 的總功率耗散。
最后，使用 方程式 10 計算結溫。
其中
將計算得出的結溫與初始估算值進行對比。如果它們間的差異較大，使用之前計算中得到的“精確” rDS（導通）作為全新的估算值進行重復計算。通常，二次或三次迭代就足以達到所需結果。最終的結溫在很大程度上取決于熱阻 θJA，而熱阻在很大程度上取決于獨立封裝和電路板布局布線。