ZHCSQN2A December 2023 – December 2024 TPS1200-Q1
PRODUCTION DATA
TPS12000-Q1 具有可調(diào)節(jié)的短路保護(hù)功能。閾值和響應(yīng)時(shí)間可分別用 RISCP 電阻器和 CTMR 電容器來調(diào)整。該器件會(huì)檢測 CS+ 和 CS– 引腳上的電壓。
這些引腳可以連接在外部高側(cè)和低側(cè)電流感應(yīng)電阻器 (RSNS)上,也可以連接在 FET 漏極和源極端子上,以進(jìn)行 FET RDSON 感應(yīng),分別如圖 7-6、圖 7-7、圖 7-5 和 圖 7-8 所示。
使用 ISCP 和 GND 引腳上的外部 RISCP 電阻器設(shè)置短路檢測閾值。使用 方程式 5 可計(jì)算所需的 RISCP 值:
其中,
RSNS 是高側(cè)或低側(cè)電流檢測電阻值或 FET RDSON 值。
ISC 是所需的短路電流電平。
無需在 TMR 和 GND 引腳上連接 CTMR 電容器,短路保護(hù)響應(yīng)最快。
器件通電且 EN/UVLO、INP 被拉至高電平時(shí),在 Q1 開通期間,通過監(jiān)控 PD 到 SRC 的電壓可檢測外部 FET 的第一個(gè) VGS。一旦 PD 到 SRC 的電壓升至高于 V(G_GOOD) 閾值(7.5V,典型值)(這樣可確保外部 FET 增強(qiáng)),便會(huì)監(jiān)控 SCP 比較器輸出。如果在 CS+ 和 CS- 上檢測到的電壓超過短路設(shè)定點(diǎn) (VSCP),則 PD 會(huì)拉低至 SRC,而 FLT 將置于低電平。后續(xù)事件可以設(shè)置為自動(dòng)重試或閉鎖,如后續(xù)部分所述。
僅當(dāng) CS_SEL 被拉至低電平時(shí),才會(huì)監(jiān)測外部 FET (Q1) 的 VGS。在低側(cè)電流檢測中,不監(jiān)測外部 FET (Q1) 的 VGS,如 圖 7-7 和 圖 7-8 所示。
此外,可以通過緩沖器而不是 RISCP 電阻器在 ISCP 引腳上連接外部偏置電壓來設(shè)置短路閾值,從而實(shí)現(xiàn)具有更高 SCP 閾值精度的系統(tǒng)設(shè)計(jì),如電氣特性表中所述。要在 ISCP 引腳上強(qiáng)制施加的外部偏置電壓可以通過以下公式計(jì)算得出:
V(SCP_BIAS)(單位:mV) = ISC x RSNS x 5 - 95mV