ZHCSFI9B August 2016 – September 2023 TPD1E10B09-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 AEC-Q101 Qualified
- 7.3.2 IEC 61000-4-2 ESD Protection
- 7.3.3 ISO 10605 ESD Protection
- 7.3.4 IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 7.3.5 IO Capacitance
- 7.3.6 Dynamic Resistance
- 7.3.7 DC Breakdown Voltage
- 7.3.8 Ultra Low Leakage Current
- 7.3.9 Clamping Voltage
- 7.3.10 Industrial Temperature Range
- 7.3.11 Space-Saving Footprint
- 7.4 Device Functional Modes
- 8 Application and Implementation
- 9 Device and Documentation Support
- 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DPY|2
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DPY|2
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 業(yè)界通用封裝的雙向靜電放電 (ESD) 瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管。該 TVS 保護(hù)二極管可方便在節(jié)省空間的應(yīng)用中進(jìn)行元件放置，并且具有低 RDYN 和高 IEC 等級(jí)。TPD1E10B09-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值高于 IEC 61000-4-2 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高級(jí)別（4 級(jí)），可以提供 ±20kV 接觸放電和 ±20kV IEC 氣隙保護(hù)。ESD 電壓可輕松達(dá)到 5kV，并且在極端條件下，這些電壓能夠顯著升高，從而對(duì)許多集成電路造成損壞。例如，在濕度較低的環(huán)境下，電壓可超過(guò) 20kV。
低動(dòng)態(tài)電阻 (0.5Ω) 和低鉗位電壓（1A IPP 時(shí)為 13V）可確保提供系統(tǒng)級(jí)瞬變事件保護(hù)，從而為暴露于 ESD 事件下的設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大的保護(hù)。該器件還具有 10pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲(chǔ)器接口或 GPIO。
該器件還具有未經(jīng)過(guò)汽車認(rèn)證的型號(hào)：TPD1E10B09。
(1) 如需了解所有可用封裝，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。
(2) 封裝尺寸（長(zhǎng) x 寬）為標(biāo)稱值，并包括引腳（如適用）。
應(yīng)用原理圖