產品詳情

Number of channels 1 Vrwm (V) 9 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 IO capacitance (typ) (pF) 10 IEC 61000-4-2 contact (±V) 20000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.5 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 9.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 1 Vrwm (V) 9 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 IO capacitance (typ) (pF) 10 IEC 61000-4-2 contact (±V) 20000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Clamping voltage (V) 13 Dynamic resistance (typ) 0.5 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 9.5 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm2 1 x 0.6
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護
    • ±20kV 接觸放電
    • ±20kV 氣隙放電
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電
    • ±15kV 氣隙放電
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 4.5A (8/20μs)
  • I/O 電容 10pF（典型值）
  • R DYN：0.5Ω（典型值）
  • 直流擊穿電壓 ±9.5V（最小值）
  • 超低泄漏電流 100nA（最大值）
  • 13V 鉗位電壓（I PP = 1A 時的典型值）
  • 工業溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 0402 外形尺寸
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • IEC 61000-4-2 4 級 ESD 保護
    • ±20kV 接觸放電
    • ±20kV 氣隙放電
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電
    • ±15kV 氣隙放電
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 4.5A (8/20μs)
  • I/O 電容 10pF（典型值）
  • R DYN：0.5Ω（典型值）
  • 直流擊穿電壓 ±9.5V（最小值）
  • 超低泄漏電流 100nA（最大值）
  • 13V 鉗位電壓（I PP = 1A 時的典型值）
  • 工業溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 0402 外形尺寸

TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 業界通用封裝的雙向靜電放電 (ESD) 瞬態電壓抑制 (TVS) 二極管。該 TVS 保護二極管可方便在節省空間的應用中進行元件放置，并且具有低 R DYN 和高 IEC 等級。 TPD1E10B09-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值高于 IEC 61000-4-2 國際標準中規定的最高級別（4 級），可以提供 ±20kV 接觸放電和 ±20kV IEC 氣隙保護。ESD 電壓可輕松達到 5kV，并且在極端條件下，這些電壓能夠顯著升高，從而對許多集成電路造成損壞。例如，在濕度較低的環境下，電壓可超過 20kV。

低動態電阻 (0.5Ω) 和低鉗位電壓（1A IPP 時為 13V）可確保提供系統級瞬變事件保護，從而為暴露于 ESD 事件下的設計提供強大的保護。該器件還具有 10pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲器接口或 GPIO。

該器件還具有未經過汽車認證的型號：TPD1E10B09。

TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 業界通用封裝的雙向靜電放電 (ESD) 瞬態電壓抑制 (TVS) 二極管。該 TVS 保護二極管可方便在節省空間的應用中進行元件放置，并且具有低 R DYN 和高 IEC 等級。 TPD1E10B09-Q1 的額定 ESD 沖擊消散值高于 IEC 61000-4-2 國際標準中規定的最高級別（4 級），可以提供 ±20kV 接觸放電和 ±20kV IEC 氣隙保護。ESD 電壓可輕松達到 5kV，并且在極端條件下，這些電壓能夠顯著升高，從而對許多集成電路造成損壞。例如，在濕度較低的環境下，電壓可超過 20kV。

低動態電阻 (0.5Ω) 和低鉗位電壓（1A IPP 時為 13V）可確保提供系統級瞬變事件保護，從而為暴露于 ESD 事件下的設計提供強大的保護。該器件還具有 10pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲器接口或 GPIO。

該器件還具有未經過汽車認證的型號：TPD1E10B09。
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技術文檔

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* 數據表 TPD1E10B09-Q1 采用 0402 封裝、具有 10pF 電容和 9V 擊穿電壓的汽車類單通道 ESD 保護二極管 數據表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 9月 11日
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應用簡報 ESD Protection for Automotive Infotainment (Rev. A) PDF | HTML 2021年 11月 12日
用戶指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
選擇指南 ESD by Interface Selection Guide (Rev. A) 2017年 6月 26日
EVM 用戶指南 TPD1E10B09-Q1 Evaluation Module User's Guide 2016年 7月 12日
模擬設計期刊 系統級 ESD 電路保護的設計注意事項 英語版 2012年 12月 6日

設計和開發

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產品系列的開發平臺。為了測試任何型號的器件，該電路板支持所有傳統的 ESD 封裝結構。器件可以焊接到相應封裝結構，然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應采用有布線連接到測試點的封裝結構，以便輕松運行直流測試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現貨
仿真模型

TPD1E10B09-Q1 IBIS Model

SLVMBQ8.ZIP (3 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻