ZHCSM33D February 2022 – January 2025 TMP1826
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 溫度傳感器 | |||||||
| TERR | 溫度精度 (NGR) | 10°C 至 45°C | ±0.1 | ±0.2 | |||
| –40°C 至 105°C | ±0.3 | ||||||
| -55°C 至 150°C | ±0.4 | ||||||
| 溫度精度 (DGK) | –20°C 至 85°C | ±0.1 | ±0.3 | °C | |||
| -55°C 至 150°C | ±0.5 | ||||||
| PSR | 直流電源靈敏度 | ±0.03 | °C/V | ||||
| TRES | 溫度分辨率（高精度格式） | 包括符號(hào)位 | 16 | 位 | |||
| LSB | 7.8125 | m°C | |||||
| TREPEAT | 可重復(fù)性(1) | 啟用平均值計(jì)算，轉(zhuǎn)換時(shí)間 = 5.5ms，16 位模式， 1Hz 轉(zhuǎn)換率，300 次采集 |
±2 | LSB | |||
| TLTD | 長(zhǎng)期穩(wěn)定性和漂移 | 150°C 時(shí) 1000 小時(shí)(2) | 0.0625 | °C | |||
| THYST | 溫度循環(huán)和遲滯 | TSTART = -40°C TFINISH = 150°C TTEST = 25°C 3 個(gè)周期 |
4 | LSB | |||
| tRESP_L | 響應(yīng)時(shí)間（攪拌液體） NGR 封裝 |
單層柔性 PCB | τ = 63% 25°C 至 75°C |
0.77 | s | ||
| 2 層 62mil 剛性 PCB | 1.91 | s | |||||
| tACT | 有效轉(zhuǎn)換時(shí)間（無(wú)平均值計(jì)算） | CONV_TIME_SEL = 0 | (圖 8-12) | 2.54 | 3 | 3.37 | ms |
| CONV_TIME_SEL = 1 | 4.69 | 5.5 | 6.12 | ms | |||
| tDELAY | 溫度轉(zhuǎn)換的啟動(dòng)延遲 | 100 | 300 | μs | |||
| SDQ 數(shù)字輸入/輸出 | |||||||
| CIN | SDQ 引腳電容 | 40 | pF | ||||
| VIL | 輸入邏輯低電平(3) | -0.3 | 0.2 × VS | V | |||
| VIH | 輸入邏輯高電平(3) | 0.8 × VS | VS + 0.3 | V | |||
| VHYST | Hysteresis | 0.3 | V | ||||
| VOL | 輸出低電平 | IOL = –4mA | 0.4 | V | |||
| IO 特性 | |||||||
| CIN | 輸入電容 | 10 | pF | ||||
| VIL | 輸入邏輯低電平(3) | -0.3 | 0.3 × VS | V | |||
| VIH | 輸入邏輯高電平(3) | 0.7 × VS | VS + 0.3 | V | |||
| IIN | 輸入漏電流 | 0 | ±0.12 | μA | |||
| VOL | 輸出低電平 | IOL = –3mA | 0.4 | V | |||
| 電阻器地址解碼器特性 | |||||||
| CLOAD | ADDR 引腳上的負(fù)載電容（包括 PCB 寄生效應(yīng)） | 100 | pF | ||||
| RADDR 電阻器范圍 | 6.49 | 54.9 | k? | ||||
| RADDR 電阻器容差 | TA = 25°C | -1.0 | 1.0 | % | |||
| RADDR 電阻器溫度系數(shù) | –100 | 100 | ppm/°C | ||||
| RADDR 電阻器壽命漂移 | -0.2 | 0.2 | % | ||||
| tRESDET | 電阻器解碼時(shí)間 | 2.8 | ms | ||||
| 電源 | |||||||
| IPU | 上拉電流(5) | 總線供電模式，串行總線空閑 | 300 | μA |
|||
| IDD_ACTIVE | 溫度轉(zhuǎn)換期間的電源電流 | 溫度轉(zhuǎn)換，串行總線空閑 | 94 | 154 | μA | ||
| IDD_SB | 待機(jī)電流(4) | VDD 供電，串行總線處于無(wú)效狀態(tài)，連續(xù)轉(zhuǎn)換模式 | TA = -55°C 至 85°C | 1.6 | 4.2 | μA | |
| TA=-55°C 至 150°C | 24 | ||||||
| IDD_SD | 關(guān)斷電流 | 串行總線處于無(wú)效狀態(tài)，單次轉(zhuǎn)換模式 | TA = -55°C 至 85°C | 1.3 | 3.3 | μA | |
| TA=-55°C 至 150°C | 23.2 | ||||||
| VPOR | 上電復(fù)位閾值電壓 | 電源上升 (圖 7-4, 圖 7-5) | 1.5 | V | |||
| 欠壓檢測(cè) | 電源下降 | 1.3 | V | ||||
| tINIT | POR 初始化時(shí)間 | 上電后器件復(fù)位所需的時(shí)間 (圖 7-4, 圖 7-5) | 2.0 | ms | |||